[发明专利]薄膜晶体管和像素结构及制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明属于显示技术领域，提供薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管包括信号电极、扫描电极、透明层，透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，信号电极、扫描电极以及透明层彼此之间绝缘设置，信号电极与扫描电极的正投影面积无重叠，信号电极和扫描电极均落入透明层的正投影面积内，信号电极与透明层至少局部电性连接，该透明层具有漏极和有源层的功能。该薄膜晶体管不仅制备工艺简单，而且其水平方向的遮光面积较小、运用于像素结构中能够显著提高像素结构的开口率。可解决现有的薄膜晶体管的制备工艺繁多、且其水平方向的遮光面积较大以及现有的像素结构的开口率低的问题。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

在显示领域，现有的像素结构一般如图1所示，包括薄膜晶体管001和存储电容002，薄膜晶体管001包括源极01、漏极02、栅极03以及用于导通源极01与漏极02的有源层04，存储电容002包括公共电极05和像素电极06。其中，薄膜晶体管001中的源极01和漏极02分别对应设置在有源层04的两端，并分别通过开设过孔，使源极01与有源层04电性连接以及漏极02与有源层04电性连接。

这样的薄膜晶体管，不仅制备工艺繁多，而且其水平方向的不透光的面积较大。然而，在像素结构中，存储电容对应着像素结构的有效显示区，薄膜晶体管因为其包括的源极、漏极、栅极均为不透光结构，所以，薄膜晶体管对应着像素结构的区域为非有效显示区、薄膜晶体管水平方向的遮光面积较大将直接导致像素结构的有效显示区的面积减小，从而，导致像素结构的开口率较低，降低显示效果。

所以，设计一种制备工艺简单、且水平方向的遮光面积较小的薄膜晶体管，以及相应设计一种开口率更高的像素结构是亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明针对现有的上述技术问题，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管不仅制备工艺简单，而且其水平方向的遮光面积较小、运用于像素结构中能够显著提高像素结构的开口率；阵列基板和显示装置均采用上述像素结构，能够显著提高明亮度和显示效果。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种薄膜晶体管，包括信号电极、扫描电极、透明层，所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内；

所述信号电极与所述透明层至少局部区域电性连接，所述透明层对应着所述扫描电极的区域具备有源层的功能，所述透明层除以上两部分以外的其他区域具备漏极的功能。

优选的是，还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。

优选的是，所述透明层对应着所述扫描电极的区域的掺杂量范围为10¹⁰～10¹²离子数/平方厘米，所述透明层对应着所述信号电极的区域的掺杂量范围为10¹⁴～10¹⁶离子数/平方厘米。

优选的是，所述信号电极设置于所述扫描电极的上方，所述透明层设置于所述扫描电极的下方，所述第一绝缘层设置于所述扫描电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。

优选的是，所述信号电极设置于所述透明层的上方，所述扫描电极设置于所述透明层的下方，所述第一绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述透明层与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。