[发明专利]薄膜晶体管和像素结构及制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括信号电极、扫描电极、透明层，所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内；

所述信号电极与所述透明层至少局部区域电性连接，所述透明层对应着所述扫描电极的区域具备有源层的功能，所述透明层除以上两部分以外的其他区域具备漏极的功能。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述透明层对应着所述扫描电极的区域的掺杂量范围为10¹⁰～10¹²离子数/平方厘米，所述透明层对应着所述信号电极的区域的掺杂量范围为10¹⁴～10¹⁶离子数/平方厘米。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述信号电极设置于所述扫描电极的上方，所述透明层设置于所述扫描电极的下方，所述第一绝缘层设置于所述扫描电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述信号电极设置于所述透明层的上方，所述扫描电极设置于所述透明层的下方，所述第一绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述透明层与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。

6.一种像素结构，设置于像素区内，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管以及设置在所述薄膜晶体管上方的钝化层和导电层。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述透明层为板状结构、且延伸至覆盖整个所述像素区，所述导电层设置在所述钝化层的上方、且未覆盖所述信号电极和所述扫描电极所在的区域。

8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述透明层对应着所述导电层的区域的掺杂量范围为10¹⁴～10¹⁶离子数/平方厘米。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求6-8任一所述的像素结构。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。

11.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括形成信号电极、扫描电极、透明层的步骤，其中：所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内；

所述信号电极与所述透明层至少局部区域电性连接，所述透明层对应着所述扫描电极的区域具备有源层的功能，所述透明层除以上两部分以外的其他区域具备漏极的功能。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：依次形成透明层、第一绝缘层、扫描电极、第二绝缘层、信号电极的步骤，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层连接，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。