[发明专利]硅基修补方法和组合物有效

专利信息
申请号: 201610001508.2 申请日: 2016-01-05
公开(公告)号: CN105753377B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: D.M.利普金;N.E.安托利诺;D.佩尔施克;K.P.麦克沃伊 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: C04B26/32 分类号: C04B26/32;C04B41/85;C04B14/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周李军;彭昶
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 修补 方法 组合
【权利要求书】:

1.一种硅基补块制剂,所述制剂包含以下的混合物:

25至66%体积溶剂;

4至10%体积含硅粘合材料;和

30至65%体积修补材料,所述修补材料包含具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒,其中硅基补块制剂内一种或多种非锕系第IIIB族元素与硅的摩尔比为0.95至1.25。

2.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒包括一种或多种选自稀土单硅酸盐(RE2SiO5)和稀土二硅酸盐(RE2Si2O7)的稀土材料,其中所述稀土材料选自非锕系第IIIB族元素。

3.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒具有至少双峰粒径分布,其中第一分布峰的粒径大于第二分布峰的粒径。

4.权利要求3的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的80%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的80%,其中第一分布和第二分布的体积分数占修补材料的100%。

5.权利要求3的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的60%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的60%,其中第一分布和第二分布的体积分数占修补材料的100%。

6.权利要求3的硅基补块制剂,其中所述第一分布的粒径在10至50µm范围内,所述第二分布的粒径在0.5至10µm范围内。

7.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒具有至少三峰粒径分布,其中第一分布峰的粒径大于第二分布峰的粒径,第二分布峰的粒径大于第三分布峰的粒径。

8.权利要求7的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的80%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的50%,所述第三分布的体积分数小于修补材料的50%,其中第一分布、第二分布和第三分布的体积分数占修补材料的100%。

9.权利要求7的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的60%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的30%,所述第三分布的体积分数小于修补材料的30%,其中第一分布、第二分布和第三分布的体积分数占修补材料的100%。

10.权利要求7的硅基补块制剂,其中所述第一分布的粒径在10至50µm范围内,所述第二分布的粒径在5至15µm范围内,所述第三分布的粒径在0.5至5µm范围内。

11.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述溶剂包括促进含硅粘合材料溶解的有机溶剂。

12.权利要求11的硅基补块制剂,其中所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丁醇、丙醇、戊醇、己醇、辛醇、壬醇、癸醇、十二烷醇。

13.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述粘合材料包括交联聚有机硅氧烷树脂。

14.一种硅基耐环境补块,所述补块包含:

2至10%体积固化的含硅粘合材料;

90至98%体积固化的修补材料,其中所述固化的修补材料包含具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒;并且

其中硅基耐环境补块内一种或多种非锕系第IIIB族元素与硅的摩尔比为0.95至1.25。

15.权利要求14的硅基耐环境补块,所述补块进一步具有至少3MPa的粘合强度和3.5至7ppm/℃的热膨胀系数。

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