[发明专利]硅基修补方法和组合物有效
申请号: | 201610001508.2 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105753377B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | D.M.利普金;N.E.安托利诺;D.佩尔施克;K.P.麦克沃伊 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C04B26/32 | 分类号: | C04B26/32;C04B41/85;C04B14/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周李军;彭昶 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修补 方法 组合 | ||
1.一种硅基补块制剂,所述制剂包含以下的混合物:
25至66%体积溶剂;
4至10%体积含硅粘合材料;和
30至65%体积修补材料,所述修补材料包含具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒,其中硅基补块制剂内一种或多种非锕系第IIIB族元素与硅的摩尔比为0.95至1.25。
2.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒包括一种或多种选自稀土单硅酸盐(RE2SiO5)和稀土二硅酸盐(RE2Si2O7)的稀土材料,其中所述稀土材料选自非锕系第IIIB族元素。
3.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒具有至少双峰粒径分布,其中第一分布峰的粒径大于第二分布峰的粒径。
4.权利要求3的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的80%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的80%,其中第一分布和第二分布的体积分数占修补材料的100%。
5.权利要求3的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的60%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的60%,其中第一分布和第二分布的体积分数占修补材料的100%。
6.权利要求3的硅基补块制剂,其中所述第一分布的粒径在10至50µm范围内,所述第二分布的粒径在0.5至10µm范围内。
7.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒具有至少三峰粒径分布,其中第一分布峰的粒径大于第二分布峰的粒径,第二分布峰的粒径大于第三分布峰的粒径。
8.权利要求7的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的80%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的50%,所述第三分布的体积分数小于修补材料的50%,其中第一分布、第二分布和第三分布的体积分数占修补材料的100%。
9.权利要求7的硅基补块制剂,其中所述第一分布的体积分数小于修补材料的60%,所述第二分布的体积分数小于修补材料的30%,所述第三分布的体积分数小于修补材料的30%,其中第一分布、第二分布和第三分布的体积分数占修补材料的100%。
10.权利要求7的硅基补块制剂,其中所述第一分布的粒径在10至50µm范围内,所述第二分布的粒径在5至15µm范围内,所述第三分布的粒径在0.5至5µm范围内。
11.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述溶剂包括促进含硅粘合材料溶解的有机溶剂。
12.权利要求11的硅基补块制剂,其中所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丁醇、丙醇、戊醇、己醇、辛醇、壬醇、癸醇、十二烷醇。
13.权利要求1的硅基补块制剂,其中所述粘合材料包括交联聚有机硅氧烷树脂。
14.一种硅基耐环境补块,所述补块包含:
2至10%体积固化的含硅粘合材料;
90至98%体积固化的修补材料,其中所述固化的修补材料包含具有一种或多种非锕系第IIIB族元素的颗粒;并且
其中硅基耐环境补块内一种或多种非锕系第IIIB族元素与硅的摩尔比为0.95至1.25。
15.权利要求14的硅基耐环境补块,所述补块进一步具有至少3MPa的粘合强度和3.5至7ppm/℃的热膨胀系数。
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