[其他]复合电子部件、电路模块以及DCDC转换器模块有效

专利信息
申请号: 201590001032.1 申请日: 2015-11-04
公开(公告)号: CN207217523U 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 村濑元规 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/12;H01L23/50;H02M3/155
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 舒艳君,李洋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 复合 电子 部件 电路 模块 以及 dcdc 转换器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及在基板、引线框搭载了包括半导体芯片的多个元件的复合电子部件,特别是涉及使小型化、高性能化变得容易的复合电子部件、包括该复合电子部件的电路模块以及DCDC转换器模块。

背景技术

以往,专利文献1示出构成为在基板上固定半导体芯片和芯片部件并通过导线接合将芯片部件的电极与基板上的电极连接的复合电子部件(混合集成电路装置)。

另外,专利文献2示出在内部设置多个芯片电容器并在表面搭载多个半导体芯片的插入器件。

专利文献1:日本特开平3-52260号公报

专利文献2:日本特开2014-11284号公报

如专利文献1所示,在通过导线接合来连接的结构中,需要以Ni/Au等的组成对进行导线接合的电极进行厚电镀。因此,不能够将导线与一般的芯片部件的端子直接连接。例如成为如图19所示那样的结构。图19是在引线框11芯片接合了半导体芯片21以及芯片部件30的复合电子部件的剖视图。

然而,图19所示那样的结构的复合电子部件存在以下那样的课题。

(a)在将芯片部件30芯片接合到搭载了半导体芯片(die)21的引线框11的结构中,在引线框11的一部分形成布线图案,所以引线框11的形状变得复杂。因此,产生高成本、合格率下降等问题。

(b)优选在搭载了芯片部件30的状态下,形成用于可靠性确保的圆角FL,但为此产生工序成本。另外,若将芯片部件30芯片接合到引线框11,则在芯片焊接用导电材料的连接电阻较大的情况下,若在流通比较大的电流的位置使用,则电力效率恶化。

(c)不仅需要确保图19所示的绝缘区域S,还需要确保导线W的连接区域C,所以不能够缩短半导体芯片21与芯片部件30的间隔,从而复合电子部件整体变大。

(d)搭载芯片部件30的引线框端子成为孤立为岛状的端子(不能够连接的NC端子),所以封装体里面的散热性较差。另外,产生安装不良的担心。

另外,在具备如专利文献2所示那样在内部设置芯片部件且在表面搭载半导体芯片的插入器件的复合电子部件中,需要非常低的芯片部件,部件成本以及制造成本提高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供提高将半导体芯片和其以外的芯片部件收纳在一个封装体的情况下的适合性、实现小型化、电特性的提高的复合电子部件、包括该复合电子部件的电路模块以及DCDC转换器。

(1)本实用新型的复合电子部件如以下那样构成。

复合电子部件的特征在于,具有:

半导体芯片,其搭载在支承材上,并且在一个主面具有连接端子;以及

芯片部件,其搭载在上述支承材上的与上述半导体芯片接近的位置,并且在一个主面具有连接端子,

上述半导体芯片以上述连接端子为上表面侧来搭载在上述支承材上,

上述芯片部件分别在上表面具有第一连接端子,在下表面具有第二连接端子,

上述芯片部件以上述第一连接端子为上表面侧来搭载在上述支承材上,上述第二连接端子与上述支承材连接,

上述半导体芯片的上述连接端子与上述芯片部件的上述第一连接端子不经由上述支承材而经由导线直接连接。

根据上述构成,针对芯片部件的第一、第二连接端子的连接结构变得合理,电流路径的电阻值变得更小,从而能够降低电力损耗。

(2)另外,本实用新型的复合电子部件如以下那样构成。

复合电子部件的特征在于,具有:

半导体芯片,其搭载在支承材上,并且在一个主面具有连接端子;以及

芯片部件,其搭载在上述支承材上的与上述半导体芯片接近的位置,并且在一个主面具有连接端子,

上述半导体芯片以上述连接端子为上表面侧来搭载在上述支承材上,

上述芯片部件分别在上表面具有第一连接端子,在端部具有第二连接端子,

上述芯片部件以上述第一连接端子为上表面侧来搭载在上述支承材上,上述第二连接端子与上述支承材连接,

上述半导体芯片的上述连接端子与上述芯片部件的上述第一连接端子不经由上述支承材而经由导线直接连接。

根据上述构成,能够容易地在形成于端部的第二连接端子连接支承材,能够容易地对第一连接端子进行导线连接。

(3)在上述(1)或者(2)所记载的复合电子部件中,优选上述半导体芯片以及上述芯片部件搭载在共用的电极上。由此,散热路径的截面积变大,所以芯片部件以及半导体芯片的散热性提高。

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