[发明专利]使用具有交替的导电线的库单元的集成电路布局有效
申请号: | 201580080324.3 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN107660309B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | D·W·纳尔逊;P·莫罗;S·M·伯恩斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F30/39 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 具有 交替 导电 单元 集成电路 布局 | ||
描述了使用具有交替导电线的库单元的集成电路布局。一个实施例包括第一单元和第二单元,第二单元与第一单元相邻。第一单元具有第一多个导电线,第一多个导电线的第一部分具有离第二单元有第一距离的线端部。第二单元具有第二多个导电线,导电线平行于第一单元中的导电线并与第一单元中的导电线对准,第二多个导电线的第二部分具有离第一单元有第二距离的线端部。第一距离比第二距离短。
技术领域
本说明书涉及使用库的集成电路布局,并且具体而言涉及具有交替的导电线的库单元。
背景技术
一般使用单元的库来设计集成电路。每个单元具有常用部件(例如逻辑器件、触发器、锁存器、比较器、算术单元、缓冲器或存储器寄存器组、延迟门或另一种部件)的电路。单元在硅上被布置并排序,并随后连接在一起,以便设计期望电路。根据库,单元可以被限制为非常简单的器件(例如缓冲器和逻辑门)或更复杂的器件(例如乘法器和存储器阵列)。
库中的每个单元被设计为符合公共物理和电气标准,使得电路设计者能够将任何单元置于任何期望位置中以构建期望电路。一般,标准单元尺寸单位用于所有单元。一些单元接着被设计为双倍高度或双倍宽度或这两者。这允许更复杂的部件与使用单个库的更简单的部件组合。
除了单元之间的连接以外,单元一般具有在晶体管、二极管和单元内的其它部件之间的连接。可以使用形成在晶体管、二极管和形成在集成电路的硅衬底上的任何其它部件之上的金属线来建立这些内部连接。根据库,金属线形成在可以被命名为M1、M2、M3等的层中。金属线被设计为使得它们在电介质线之间成平行轨道。这使电路变得更容易制造,并且使其变得更容易将单元连接在一起,因为连接点也将在平行轨道上。
高级过程设计规则需要在同一轨道上的任何两个金属线的端部之间的指定切割间距,即间隙或距离。设计规则还可能需要通孔与非相关的线之间的最小距离。当通孔或金属线端部出现在标准单元设计的顶部或底部处时,设计规则要求通孔离边缘一定距离,并且金属线止于单元的边缘之前的一定距离。以这种方式,如果另一单元直接放置在上方或下方并且如果这个单元也具有相同轨道中的金属线,则两个单元之间的线端部将彼此充分地间隔开。设计规则确保在两个不同单元的单元边界附近的电气性能。
附图说明
通过示例而非限制的方式在附图的图中示出了实施例,其中类似的附图标记指代相似的元件。
图1是根据实施例的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图2是根据实施例的替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图3是根据实施例的第二替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图4是根据实施例的第三替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图5是根据实施例的第四替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图6是根据实施例的第五替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图7是根据实施例的第六替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图8是根据实施例的第七替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图9是根据实施例的第十替代的集成电路设计布局的相邻单元的互连层的简化顶视图。
图10是根据实施例的集成电路设计布局的相邻单元的交错金属线的顶视图。
图11是根据实施例的另一集成电路设计布局的相邻单元的交错金属线的顶视图。
图12是根据实施例的集成电路设计布局的一部分的多个库单元的布局的顶视图。
图13是根据实施例的具有金属线和多晶硅的集成电路的一部分的侧截面视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的