[发明专利]SiC基板的制造方法

说明书

提供制造对表面进行了平坦化的SiC基板的制造方法，该制造方法包括：在对具有偏离角的SiC基板进行了加热的状态下，将原子态氢照射到SiC基板的表面而对SiC基板的表面进行蚀刻的步骤。在蚀刻的步骤中，可以以800℃以上且1200℃以下的范围对SiC基板进行加热。

技术领域

本发明涉及一种SiC基板的制造方法。

背景技术

SiC具有相比Si和GaAs为10倍左右的击穿强度，且具有高导热性，因此作为兼顾了耐压保持和小型化的功率器件用MOS晶体管的材料而受到瞩目。MOS晶体管的动作时的能量损耗随着沟道电阻越大而变得越大。沟道电阻较大地依赖于SiC基板与氧化膜的界面的状态，即SiC基板的表面平坦性。作为公开了使SiC基板的表面平坦化的现有技术文献具有以下文献。

现有技术文献

非专利文献1：Hiroshi Nakagawa,Satoru Tanaka,and Ikuo Suemue,“Self-Ordering of Nanofacets on Vicinal SiC Surfaces”，2003年11月26日，PHISICALREVIEW LETTERS 91，226107。

发明内容

技术问题

在上述现有技术中，通过以1400℃左右对氢气氛中的SiC基板进行退火，从而利用氢对基板表面进行蚀刻而使SiC基板的表面平坦化。但是，退火条件受到非常大的限制。

技术方案

在本发明的一个形态中，提供一种制造对表面进行了平坦化的SiC基板的制造方法，该制造方法包括在对具有偏离角的SiC基板进行了加热的状态下，将原子态氢照射到SiC基板的表面而对SiC基板的表面进行蚀刻的步骤。

应予说明，上述的发明概要并未列举本发明的全部特征。此外，这些特征组的重新组合也可构成发明。

附图说明

图1是说明制造对表面进行了平坦化的SiC基板200的制造方法的概要的图。

图2示出蚀刻后的SiC基板200。

图3是示出处理SiC基板200的处理装置100的概要的图。

符号说明

10：处理室，12：平台，14：加热部，15：窗口部，16：开闭器，18：连结孔，20：气体供应单元，22：钨丝，30：氢气源，40：硅原子，42：原子态氢，44：碳原子，100：处理装置，200：SiC基板，202：表面，204：表面

具体实施方式

以下，通过本发明的实施方式对本发明进行说明，但以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。此外，在实施方式中说明的特征的全部组合未必都是本发明的解决方案所必须的。

图1是说明制造对表面进行了平坦化的SiC基板200的制造方法的概要的图。在图1中示出SiC基板200的表面202附近的部分截面。首先，准备具有偏离角的SiC基板200。例如通过利用测角仪等测定应该形成器件的面的晶面，以相对于晶轴方向倾斜预定的角度的方式切割基板的表面，从而准备具有偏离角的SiC基板200。

通过使SiC基板200具有偏离角，从而能够使在SiC基板200的表面生长的SiC薄膜高品质化。在图1的例子中，SiC基板200的表面202相对于作为稳定面的(0001)面具有预定的偏离角。例如偏离角为1°以上且8°以下。偏离角可以为4°以上且8°以下。