[发明专利]SiC基板的制造方法有效
| 申请号： | 201580078145.6 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN107431005B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 藤井健志;佐藤真理子;稻本拓朗 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/205;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
1.一种SiC基板的制造方法，其特征在于，用于对基板表面进行平坦化，所述制造方法包括：
在对具有偏离角的SiC基板进行了加热的状态下，将原子态氢照射到所述SiC基板的表面而对所述SiC基板的表面进行蚀刻的步骤，
所述原子态氢的照射是指将在远离所述SiC基板的表面附近的位置生成的原子态氢供应到所述SiC基板的表面，
在所述蚀刻的步骤中，以800℃以上且1200℃以下的范围对所述SiC基板进行加热。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
所述SiC基板的偏离角为1°以上且8°以下。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
所述SiC基板的偏离方向为[11-20]或[1-100]方向。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，
所述SiC基板的偏离方向为[11-20]或[1-100]方向。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，
所述SiC基板的多晶型为4H或6H。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，
所述SiC基板的所述表面的晶面为(0001)或(000-1)。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
从含有氢的原料气体生成所述原子态氢的步骤，
在所述蚀刻的步骤中，将所生成的所述原子态氢向所述SiC基板的表面照射。
8.一种SiC基板的制造方法，其特征在于，用于对基板表面进行平坦化，所述制造方法包括：
将具有偏离角的SiC基板载置于处理室，对所述SiC基板进行加热的步骤；
在与所述处理室连结的气体供应单元中，从含有氢的原料气体生成原子态氢的步骤；以及
将在所述气体供应单元生成的所述原子态氢供应到所述处理室内的所述SiC基板的表面而对所述SiC基板的表面进行蚀刻的步骤，
在所述加热的步骤中，以800℃以上且1200℃以下的范围对所述SiC基板进行加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
