[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序；在供给氮化气体的工序中，从第一喷嘴及第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给氧化气体的工序中，从第二喷嘴以比第一流量大的第二流量供给非活性气体。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时进行如下成膜处理：通过对处理室内的衬底供给原料气体、氧化气体、氮化气体，从而在衬底上形成氮氧化膜。

发明内容

然而，本申请的发明人等经深入研究，发现若实施上述成膜处理的话，存在在处理室内大量产生颗粒的情况。本发明的目的在于，提供一种能够抑制在衬底上形成氮氧化膜时的颗粒产生的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种半导体器件的制造方法，包括通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：

对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，

对所述衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和

对所述衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序，

其中，在供给所述氮化气体的工序中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的工序中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体。

发明效果

通过本发明，能够抑制在衬底上形成氮氧化膜时的颗粒的产生。

附图说明

图1是本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是将处理炉部分以纵剖面图表示的图。

图2是本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的一部分的概略构成图，是将处理炉的一部分以图1的A-A线剖面图表示的图。

图3是本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是将控制器的控制系统以框图表示的图。

图4是按每个喷嘴表示的、本发明的一种实施方式的成膜顺序的1循环中的气体供给的时机的图。

图5是按每个喷嘴表示的、本发明的其他实施方式的成膜顺序的1循环中的气体供给的时机的图。

图6的(a)是表示配置于TOP(上部)区域的晶片的颗粒数测定结果的图，(b)是表示配置于CENTER(中央部)区域的晶片的颗粒数测定结果的图，(c)是表示配置于BOTTOM(下部)区域的晶片的颗粒数测定结果的图。

图7的(a)是表示晶片表面上的颗粒数的测定结果的图，(b)是表示在供给O₂气的步骤中将从第二喷嘴供给的N₂气的流量设为0.5slm的情况下的成膜后的晶片表面的情况的图，(c)是表示在供给O₂气的步骤中将从第二喷嘴供给的N₂气的流量设为5slm的情况下的成膜后的晶片表面的情况的图，(d)是将晶片表面上的颗粒数的测定结果与模拟结果对比从而表示的图。

图8是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图9是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是以纵剖面图表示处理炉部分的图。