[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：

对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，

对所述衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和

对所述衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序，

其中，在供给所述氮化气体的工序中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的工序中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体，在供给所述原料气体的工序中，从所述第二喷嘴以第三流量供给非活性气体，所述第二流量大于所述第三流量，

在供给所述氧化气体的工序之后、接下来进行供给所述原料气体的工序之前的期间，从所述第二喷嘴以所述第二流量供给非活性气体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序中，从所述第三喷嘴以所述第三流量供给非活性气体。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氮化气体的工序之后、进行供给所述氧化气体的工序之前的期间，从所述第二喷嘴以所述第二流量供给非活性气体。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氧化气体的工序之后、接下来进行供给所述原料气体的工序之前的期间，对于处于停止了气体供给的状态下的所述衬底所存在的空间不实施抽真空。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氮化气体的工序之后、进行供给所述氧化气体的工序之前的期间，对于处于停止了气体供给的状态下的所述衬底所存在的空间不实施抽真空。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序之后、进行供给所述氮化气体的工序之前的期间，对处于停止了气体供给的状态下的所述衬底所存在的空间实施抽真空。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一喷嘴及所述第三喷嘴是与所述第二喷嘴不同的喷嘴。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，第一喷嘴是与所述第二喷嘴不同的喷嘴，且与所述第三喷嘴是同一喷嘴。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第三流量是所述第一流量以下的流量。

10.一种衬底处理装置，其具有：

处理室，其收容衬底，

原料气体供给系统，其对所述处理室内的衬底经由第一喷嘴供给原料气体，

氮化气体供给系统，其对所述处理室内的衬底经由第二喷嘴供给氮化气体，

氧化气体供给系统，其对所述处理室内的衬底经由第三喷嘴供给氧化气体，

非活性气体供给系统，其经由所述第一喷嘴、所述第二喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者向所述处理室内供给非活性气体，和

控制部，其构成为以如下方式控制所述原料气体供给系统、所述氮化气体供给系统、所述氧化气体供给系统及所述非活性气体供给系统，所述方式为：进行通过将下述循环进行规定次数从而在所述衬底上形成氮氧化膜的处理，所述循环为非同时地进行下述处理，即对所述处理室内的衬底经由所述第一喷嘴供给所述原料气体的处理、对所述处理室内的所述衬底经由所述第二喷嘴供给所述氮化气体的处理、和对所述处理室内的所述衬底经由所述第三喷嘴供给所述氧化气体的处理；并且，在供给所述氮化气体的处理中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的处理中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体，在供给所述原料气体的处理中，从所述第二喷嘴以第三流量供给非活性气体，所述第二流量大于所述第三流量，在供给所述氧化气体的处理之后、接下来进行供给所述原料气体的处理之前的期间，从所述第二喷嘴以所述第二流量供给非活性气体。

11.一种记录有程序的计算机可读取的记录介质，所述程序通过计算机使衬底处理装置执行以规定次数进行下述循环从而在衬底上形成氮氧化膜的步骤，所述循环为非同时地进行下述步骤：

对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的步骤，

对所述衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的步骤，和

对所述衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的步骤，

其中，在供给所述氮化气体的步骤中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的步骤中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体，在供给所述原料气体的步骤中，从所述第二喷嘴以第三流量供给非活性气体，所述第二流量大于所述第三流量，在供给所述氧化气体的步骤之后、接下来进行供给所述原料气体的步骤之前的期间，从所述第二喷嘴以所述第二流量供给非活性气体。