[发明专利]具有波长的温度补偿的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201580065421.5 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107004740B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·鲁道夫;彼得鲁斯·松德格伦;伊瓦尔·通林 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 波长 温度 补偿 发光二极管 芯片 | ||
1.一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：
-p型半导体区域(4)，
-n型半导体区域(6)，
-在所述p型半导体区域(4)和所述n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构，其中
-所述多量子阱结构具有：第一区域(51)，所述第一区域具有交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，
-至少一个所述第二量子阱层(52A)具有电子带隙EQW2，该电子带隙EQW2小于所述第一量子阱层(51A)的电子带隙EQW1，
-至少一个所述第二阻挡层(52B)具有电子带隙EB2，该电子带隙EB2大于所述第一阻挡层(51B)的电子带隙EB1，并且
-所述第二区域(52)比所述第一区域(51)更靠近所述p型半导体区域(4)设置。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，
其中对于所述第一量子阱层(51A)的和至少一个所述第二量子阱层(52A)的电子带隙适用的是：
EQW1–EQW2≥0.025eV。
3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
其中对于所述第一阻挡层(51B)的和至少一个所述第二阻挡层(52B)的电子带隙适用的是：
EB2–EB1≥0.075eV。
4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一量子阱层(51A)和至少一个所述第二量子阱层(52A)分别具有InxAlyGa1-x-yP、InxAlyGa1-x-yN或InxAlyGa1-x-yAs，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
5.根据权利要求4所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一量子阱层(51A)的铝含量y大于至少一个所述第二量子阱层(52A)的铝含量y。
6.根据权利要求4所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一量子阱层(51A)的铟含量x小于至少一个所述第二量子阱层(52A)的铟含量x。
7.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一阻挡层(51B)和至少一个所述第二阻挡层(52B)分别具有InxAlyGa1-x-yP、InxAlyGa1-x-yN或InxAlyGa1-x-yAs，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
8.根据权利要求7所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一阻挡层(51B)的铝含量y小于至少一个所述第二阻挡层(52B)的铝含量y。
9.根据权利要求7所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一阻挡层(51B)的铟含量x大于至少一个所述第二阻挡层(52B)的铟含量x。
10.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一区域(51)包括由第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)构成的至少20个层对。
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