[发明专利]成膜装置

说明书

在一个实施方式的成膜装置中，旋转轴与旋转台连接。在该成膜装置中，多个晶片载置于相对于旋转轴的中心轴线在周向上排列的多个载置区域内，由旋转台保持。旋转台收纳于基座的内部空间。在该内部空间内，气体供给机构形成从旋转台的外侧沿与中心轴线正交的方向的处理气体的流动。另外，隔热件设置于基座的内部空间内的隔热区域。隔热区域相对于中心轴线比距该中心轴线最近的多个载置区域内的位置更靠外侧、且相对于中心轴线比距该中心轴线最远的多个载置区域内的位置更靠内侧。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种成膜装置。

背景技术

近年来，在半导体功率器件这样的电子器件中，使用了碳化硅(SiC)。在这样的电子器件的制造中，在SiC基板上实施通过外延生长形成SiC膜的处理。

在上述处理中，可以使用生产量比单片式成膜装置优异的半间歇式成膜装置。例如，在日本特开2014－27028号公报、日本特开2008－159947号公报等文献中记载了半间歇式成膜装置。

上述文献中的日本特开2008－159947号公报所记载的成膜装置具有旋转轴、旋转台、基座、容器、隔热件和气体供给机构。旋转台与旋转轴结合。在该旋转台上搭载有保持件。保持件提供载置多个晶片的多个载置区域。保持件以多个载置区域相对于旋转轴的中心轴线在周向上排列的方式载置于旋转台上。基座具有方筒形状，在其内部空间收纳有旋转台。基座通过感应加热被加热。容器收纳基座。在基座与容器之间设置有隔热件。气体供给机构构成为从旋转台的外侧在与旋转轴正交的方向上形成处理气体的流动。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－27028号公报

专利文献2：日本特开2008－159947号公报

发明内容

发明想要解决的问题

在SiC膜的外延生长中，以将p型或n型的杂质引入该SiC膜的方式进行成膜。特别是关于p型，引入SiC膜的杂质的浓度在晶片面内的温度低的区域变高，在温度高的区域变低。因此，为了抑制杂质浓度在晶片面内的不匀，需要降低成膜时的晶片的面内的温度的不匀。然而，从降低晶片温度的不匀的观点考虑，期望对上述现有的半间歇式成膜装置进行更进一步的改良。

用于解决问题的技术方案

在一个方式中，提供一种半间歇式成膜装置。该成膜装置具有旋转轴、旋转台、基座、气体供给机构、容器、第一隔热件和第二隔热件。旋转台与旋转轴连接。旋转台构成为保持多个晶片。多个晶片载置于相对于旋转轴的中心轴线在周向上排列的多个载置区域。基座构成为在其内部空间收纳旋转台。气体供给机构构成为在上述内部空间内形成从旋转台的外侧沿与中心轴线正交的方向的处理气体的流动。容器收纳基座。第一隔热件以覆盖基座的方式设置于容器与基座之间。第二隔热件设置于由基座提供的内部空间内。另外，第二隔热件设置于相对于旋转轴的中心轴线比距该中心轴线最近的多个载置区域内的位置更靠外侧、且相对于旋转轴的中心轴线比距该中心轴线最远的多个载置区域内的位置更靠内侧的隔热区域。

在一个方式所涉及的成膜装置中，旋转轴与旋转台连接，因此，无法使基座存在于该旋转轴延伸的区域。因此，来自基座的热不容易传给距中心轴线近的晶片内的区域，还存在热从该区域散失的倾向。另外，在该成膜装置中，从旋转台的外侧向与中心轴线正交的方向供给处理气体，因此，存在距中心轴线远的晶片内的区域的热容易被处理气体吸收的倾向。因此，在该成膜装置中，将第二隔热件设置于上述隔热区域。利用该第二隔热件，能够降低在距中心轴线近的区域与距中心轴线远的区域之间的中间区域内的成膜时的晶片温度。因此，能够降低晶片的面内的温度的不匀。