[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；第一发光层，所述第一发光层形成在所述第一半导体层上；第二发光层，所述第二发光层形成在所述第一发光层上；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第二发光层上并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中

所述第一发光层具有：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被多个组合凹槽分割成随机网状的多个基底区段，所述多个基底区段具有随机尺寸；以及第一量子阱结构层，所述第一量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且形成在所述基底层上，所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状，并且

所述第二发光层具有第二量子阱结构层，所述第二量子阱结构层由多个势垒层和至少一个量子阱层构成，所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层的所述至少一个势垒层的组分不同的组分，并且所述第二发光层在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层的端部势垒层的表面中具有保留了所述区段形状的槽。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一半导体层具有GaN组分；

所述第一量子阱结构层的所述基底层和所述势垒层具有AlN或AlGaN组分；

所述第二量子阱结构层的所述多个势垒层各具有GaN组分；并且

所述第一量子阱结构层的所述至少一个量子阱层以及所述第二量子阱结构层的所述至少一个量子阱层各具有InGaN组分。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述端部势垒层具有比所述第二量子阱结构层的所述多个势垒层中最靠近所述第二半导体层的端部势垒层的层厚度小的层厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

在所述第二发光层的表面中，具有保留了所述区段形状的槽。

5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其中，所述第一量子阱结构层具有多量子阱结构。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二量子阱结构层具有多量子阱结构。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述半导体发光元件还包括：第三发光层，所述第三发光层形成在所述第一半导体层与所述第一发光层之间，所述第三发光层具有第三量子阱结构层，所述第三量子阱结构层由多个势垒层和至少一个量子阱层构成。