[发明专利]具有由半导体材料制成的涂层的钙钛矿颗粒

权利要求书

1.包含ABX₃和/或AB₂X₄型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素和/或它们的混合物；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格；以及X选自卤素和拟卤素的阴离子，其中包含钙钛矿晶体的核涂覆有至少一种半导体材料。

2.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中，A表示Sn、Ba、Pb、Bi。

3.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中，B表示一价的、含氨基基团的、带正电的碳化合物。

4.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中，B表示脒鎓离子、胍鎓离子、异硫脲鎓离子、甲脒鎓离子。

5.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中，B表示伯、仲、叔和季有机铵离子。

6.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中，B具有1至10个碳原子。

7.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中，X选自Cl、Br和I及其混合物。

8.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中所述核具有0.01至200μm的直径和/或其中具有所述至少一种半导体材料的涂层具有1至1500nm的厚度。

9.根据权利要求8所述的经涂覆的颗粒，其中所述核具有0.1至100μm的直径。

10.根据权利要求8所述的经涂覆的颗粒，其中所述核具有1至10μm的直径。

11.根据权利要求8所述的经涂覆的颗粒，其中具有所述至少一种半导体材料的涂层具有10至100nm的厚度。

12.根据权利要求8所述的经涂覆的颗粒，其中具有所述至少一种半导体材料的涂层具有20至50nm的厚度。

13.根据权利要求1至12之一所述的经涂覆的颗粒，其中所述核进一步包含至少一种闪烁体。

14.根据权利要求13所述的经涂覆的颗粒，其中所述至少一种闪烁体在所述核中被钙钛矿晶体包覆。

15.根据权利要求1至12之一所述的经涂覆的颗粒，其中所述半导体材料包含至少一种电子传导材料和/或空穴传导材料。

16.制备包含ABX₃和/或AB₂X₄型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒的方法，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素和/或它们的混合物；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格；以及X选自卤素和拟卤素的阴离子，其中用至少一种半导体材料涂覆包含钙钛矿晶体的核，其中借助于至少一种第一溶剂将所述至少一种半导体材料引入溶液，向该溶液添加所述包含钙钛矿晶体的核，随后通过添加另外的物质使经涂覆的颗粒沉淀以及接下来除去所述第一溶剂和所述另外的物质。

17.根据权利要求16所述的方法，其中A表示Sn、Ba、Pb、Bi。

18.根据权利要求16所述的方法，其中B表示一价的、含氨基基团的、带正电的碳化合物。

19.根据权利要求16所述的方法，其中B表示脒鎓离子、胍鎓离子、异硫脲鎓离子、甲脒鎓离子。

20.根据权利要求16所述的方法，其中B表示伯、仲、叔和季有机铵离子。