[发明专利]用于清洗半导体元件的包含碱土金属的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法

权利要求书

1.一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，

所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水，

所述碱土金属化合物为选自由硝酸钡、氢氧化钡、乙酸钡、氧化钡、溴化钡、碳酸钡、氟化钡、碘化钡、硫酸钡、磷酸钡、硝酸钙、乙酸钙、氧化钙、溴化钙、碳酸钙、氟化钙、碘化钙、硫酸钙、磷酸钙、硝酸锶、乙酸锶、氧化锶、溴化锶、碳酸锶、氟化锶、碘化锶、硫酸锶和磷酸锶组成的组中的一种以上，

其中，所述清洗液的pH值为7.7～14。

2.根据权利要求1所述的清洗液，其中，所述过氧化物为选自由过氧化氢、过氧化脲、间氯过氧苯甲酸、叔丁基氢过氧化物、过氧乙酸、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化丙酮、过氧化甲乙酮、六亚甲基三过氧化物和氢过氧化枯烯组成的组中的至少1种以上。

3.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述高氯酸盐为选自由高氯酸铵、高氯酸钾、高氯酸钙、高氯酸镁、高氯酸银、高氯酸钠、高氯酸钡、高氯酸锂、高氯酸锌、高氯酸乙酰胆碱、高氯酸铅、高氯酸铷、高氯酸铯、高氯酸镉、高氯酸铁、高氯酸铝、高氯酸锶、四丁基高氯酸铵、高氯酸镧、高氯酸铟和四正己基高氯酸铵组成的组中的至少1种以上。

4.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述包含10原子％以上的钛的材料包含选自由氧化钛、氮化钛、钛和硅化钛组成的组中的至少1种以上。

5.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述包含10原子％以上的钨的材料包含选自由氧化钨、氮化钨、钨和硅化钨组成的组中的至少1种以上。

6.一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗方法，所述半导体元件具有：低介电常数膜、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，其特征在于，使用权利要求1至5中任一项所述的清洗液。