[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

说明书

本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其能够形成表示抗蚀剂图案的线宽的不均匀度的LWR比以往小的抗蚀剂图案。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物、以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。

技术领域

本发明涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其以相对于聚合物而言规定的比例含有具有被叔丁氧基羰基(以下在本说明书中简称为Boc基。)保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物。此外，本发明涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，即使在形成薄的膜厚(例如20nm以下)的抗蚀剂下层膜的情况下，其对基板的涂布性也优异，进而即使在薄膜的情况下，也会改良所形成的抗蚀剂的线图案线宽的不均匀度的大小。

背景技术

专利文献1公开了一种抗蚀剂下层膜(防反射膜)，其不与在上层形成的抗蚀剂膜混合，在使用ArF准分子激光进行曝光的情况下，可获得期望的光学参数(k值、n值)，而且可获得相对于抗蚀剂膜而言大的干蚀刻速度的选择比。

另一方面，对于采用了作为进一步微细加工技术的EUV(极紫外线的简称，波长13.5nm)曝光的光刻而言，虽然没有来自基板的反射，但是与图案微细化相伴的抗蚀剂图案侧壁的粗糙成为问题。因此，进行了众多关于用于形成矩形性高的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜的研究。作为形成EUV、X射线、电子射线等高能量射线曝光用抗蚀剂下层膜的材料，公开了排气的产生降低了的抗蚀剂下层膜形成用组合物(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2009/008446号

专利文献2：国际公开第2010/061774号

发明内容

发明所要解决的课题

作为对抗蚀剂下层膜所要求的特性，可举出例如，不发生与在上层形成的抗蚀剂膜的混合(不溶于抗蚀剂溶剂)、具有与抗蚀剂膜相比大的干蚀刻速度。

在伴随EUV曝光的光刻的情况下，所形成的图案线宽变为32nm以下，EUV曝光用的抗蚀剂下层膜可以比以往膜厚薄地形成而被使用。然而，由于将抗蚀剂下层膜制成薄膜，在其上形成的抗蚀剂图案的表示线宽不均匀度的LWR(线宽粗糙度，Line Width Roughness)恶化成为问题。

本发明的目的在于，通过解决上述问题，从而获得能够形成期望的抗蚀剂图案的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。

用于解决课题的手段

本发明涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含：

聚合物，

具有被Boc基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物，以及

溶剂，

所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。

前述化合物由例如下述式(1a)或式(1b)表示。