[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，

该等离子体处理方法包括：

预成膜工序，在该预成膜工序中，利用含碳气体的等离子体在腔室内部的构件的表面形成含碳膜；

成膜工序，在该成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体在所述构件的表面形成含硅膜；

等离子体处理工序，在该等离子体处理工序中，在所述含硅膜形成于所述构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；

去除工序，在该去除工序中，在等离子体处理后的所述被处理体输出到所述腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从所述构件的表面去除所述含硅膜，

其中，在所述成膜工序中，所述还原性气体相对于所述含硅气体的流量比是0.2以上。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含硅气体含有SiF₄、SiCl₄以及SiBr₄中的至少任一者。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述还原性气体含有H₂、CH₄以及C₃H₆中的至少任一者。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含硅气体还含有稀有气体。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述稀有气体是Ar或He。

6.一种等离子体处理方法，其特征在于，

该等离子体处理方法包括：

预成膜工序，在该预成膜工序中，利用含碳气体的等离子体在腔室内部的构件的表面形成含碳膜，

成膜工序，在该成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体在所述构件的表面形成含硅膜；

等离子体处理工序，在该等离子体处理工序中，在所述含硅膜形成于所述构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；

去除工序，在该去除工序中，在等离子体处理后的所述被处理体输出到所述腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从所述构件的表面去除所述含硅膜。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含碳气体含有以C_xH_yF_z表示的气体，式中，x、y和z表示整数，(z-y)÷x是2以下。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述含碳气体含有CH₄、C₄F₈、CHF₃、CH₃F以及C₂H₄中的至少任一者。

9.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述去除工序包括：第1去除工序，在该第1去除工序中，利用所述含氟气体的等离子体从所述构件的表面去除所述含硅膜；第2去除工序，在该第2去除工序中，利用含氧气体的等离子体从所述构件的表面去除所述含碳膜。