[发明专利]用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法

说明书

本发明涉及用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法，所述组合物包含：至少一种胺化合物；至少一种选自非质子极性有机溶剂和水的溶剂；质子极性有机溶剂；以及聚醚改性的聚二甲基硅氧烷，所述聚醚改性的聚二甲基硅氧烷在20℃下的动态粘度为25mPa·s至250mPa·s且包含20摩尔％至70摩尔％的包含聚醚类官能团的聚二甲基硅氧烷重复单元。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2014年9月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0123649号的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及用于移除光刻胶的剥离剂组合物，其表现出对光刻胶的优异的剥离和冲洗能力，以及涉及使用该剥离剂组合物剥离光刻胶的方法。

背景技术

用于液晶显示装置的微电路或半导体集成电路的制造工艺包括以下若干步骤：在基板上形成多种下层膜，例如由铝、铝合金、铜、铜合金、钼或钼合金制成的导电金属膜，或绝缘膜如氧化硅膜、氮化硅膜或丙烯酰基绝缘膜；将光刻胶均匀涂覆于该下层膜上；任选地使经涂覆的光刻胶曝光和显影以形成光刻胶图案；以及用所述光刻胶图案作为掩模使下层膜图案化。

在这些图案化步骤后，经历移除残留在下层膜上的光刻胶的过程。为了这个目的，使用用于移除光刻胶的剥离剂组合物。

先前，已广泛地知道且常规地使用包括胺化合物、质子极性溶剂、非质子极性溶剂等的剥离剂组合物。

已知这些剥离剂组合物表现出对光刻胶的一定程度的移除和剥离能力。

然而，这些常规剥离剂组合物对光刻胶的剥离能力不足且还表现出对光刻胶的低冲洗能力。因此，存在这样的问题：在应用剥离剂组合物时，产生异物和污点并残留在光刻胶下层膜上并且无法充分移除。

这样的异物和污点可降低液晶显示器如TFT-LCD的显示特征，特别地，这在分辨率非常高且像素超小型化的最新TFT-LCD中显现为重大问题。

因此，持续需要开发表现出比常规发现的剥离剂组合物更好的光刻胶剥离和冲洗能力的剥离剂组合物，且此领域中的研究一直在继续。

举例来说，已尝试通过向剥离剂组合物添加表面活性剂进一步改善光刻胶的剥离和冲洗能力。

然而，在常规表面活性剂的情况下，包含具有强碱性的胺化合物，这样导致对剥离剂组合物的化学改性或降解。因此，在大多数情况下，由于此原因不能获得剥离和冲洗能力的改善。

此外，由于该改性或降解产生多种副产物，因此存在剥离剂组合物的特性可能降低的问题。

目前，需要开发一种表现出对光刻胶增强的剥离和冲洗能力的新剥离剂组合物。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供用于移除光刻胶的剥离剂组合物，其能够在水性与非水性条件下表现出优良的剥离和冲洗能力。

本发明的另一目的在于提供使用上述用于移除光刻胶的剥离剂组合物来剥离光刻胶的方法。

解决方案

为了实现这些目的和其他由本说明书将变得明显的目的，本发明提供了用于移除光刻胶的剥离剂组合物，其包含：至少一种胺化合物；至少一种选自非质子极性有机溶剂和水的溶剂；质子极性有机溶剂；以及聚醚改性的聚二甲基硅氧烷，所述聚醚改性的聚二甲基硅氧烷在20℃下的动态粘度为25mPa·s至250mPa·s且包含20摩尔％至70摩尔％的引入有聚醚类官能团的聚二甲基硅氧烷重复单元。

本发明还提供了用于剥离光刻胶的方法，其包括以下步骤：在形成有下层膜的基板上形成光刻胶图案；用光刻胶图案使下层膜图案化；以及使用上述用于移除光刻胶的剥离剂组合物剥离光刻胶图案。