[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201580000831.1 | 申请日: | 2015-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN105493256B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
| 发明(设计)人: | 张帅;詹裕程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;G02F1/1362;C01B31/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碳纳米管层 薄膜晶体管 碳纳米管结构 碳纳米管 显示装置 图案化 制备 载流子迁移率 源结构 衬底 复数 源层 | ||
众多的实施例提供了一种薄膜晶体管、其制备方法、和包括TFT的显示装置。在衬底上形成碳纳米管层,所述碳纳米管层包括复数个碳纳米管。在所述碳纳米管层里形成多个过孔得到第一图案化碳纳米管层。每个碳纳米管结构包括在过孔中形成的多个第二碳纳米管。所述碳纳米管结构和所述第一图案化碳纳米管层具有不同的载流子迁移率,由此形成有源层用作薄膜晶体管的有源结构。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。
背景技术
利用P型硅(P-Si)作为薄膜晶体管(TFT)有源层结构制作的薄膜晶体管显示器的缺点是必须要执行脱氢工艺,离子掺杂工艺,离子激活工艺与氢化工艺,且P-Si易受到活化不全、金属离子污染等影响,从而影响薄膜晶体管的性能。
碳纳米管(Carbon nanotubes,CNTs)在纳米电子和光电应用领域以其优异的电学和机械性能以及广阔的应用潜力得到了广泛的关注。在电学方面,碳纳米管可以提供较高的载流子迁移率。单根半导体碳纳米管可以作为沟道材料用于场效应晶体管(FET),其性能指标已经在多方面超过传统硅基器件。此外,碳纳米管还具有良好的化学稳定性和机械延展性,具有很好的构柔性电子器件、全碳电路的潜力。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置,采用碳纳米管制备的薄膜晶体管及其器件的性能稳定尺寸更小。简化了制备过程,降低了制备成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:
在衬底上形成具有多个碳纳米管的碳纳米管层;在所述碳纳米管层里形成多个过孔得到第一图案化碳纳米管层;以及在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构,所述碳纳米管结构和所述第一图案化碳纳米管层具有不同的载流子迁移率由此形成有源层用作薄膜晶体管的有源结构。
优选的是,所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管有序排列,所述碳纳米管结构中的所述多个碳纳米管无序排列。
优选的是,所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管均匀地沿所述基板的表面方向上平行排列。
优选的是,所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管均匀地沿所述有源层的长度方向平行排列。
优选的是,所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管均匀地沿垂直于所述基板表面方向平行排列。
优选的是,所述在衬底上形成具有多个碳纳米管的碳纳米管层包括以下步骤:在所述基板上涂覆含催化剂的溶液,干燥所述含催化剂的溶液,以及通过引入碳源气体到所述含催化剂的溶液中进行等离子体增强化学气相沉积(PECVD),以形成所述多个碳纳米管。
优选的是,在所述含催化剂的溶液包括催化剂镍(NO3)2,500℃干燥所述含催化剂的溶液,碳源气体包括甲烷。
优选的是,所述在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构包括:蒸发自组装工艺。
优选的是,所述在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构包括以下步骤:在溶液中分散碳纳米管然后离心所述溶液,收集离心后溶液的上清液作为碳纳米管涂层液,在所述每个过孔中涂覆所述碳纳米管涂层液,干燥所述碳纳米管涂层液从而在所述每个过孔中形成碳纳米管结构。
优选的是,完成所述收集离心后溶液的上清液后还包括:稀释收集的上清液,以形成所述碳纳米管涂层溶液。
优选的是,所述干燥所述碳纳米管涂层液还包括:在常压下干燥所述碳纳米管涂层液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





