[发明专利]碳纳米管场发射体的制备方法有效
申请号: | 201210217752.4 | 申请日: | 2012-06-28 |
公开(公告)号: | CN103515170A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 柳鹏;徐丽江;周段亮;张春海;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J1/304 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管;沿着所述多个碳纳米管轴向的方向,对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割,将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜;处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线;以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上,用激光束切断所述多个碳纳米管线,得到一碳纳米管场发射体。 | ||
搜索关键词: | 纳米 发射 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管;沿着所述多个碳纳米管轴向的方向,对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割,将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜;处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线;以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上,用激光束切断所述多个碳纳米管线,得到一碳纳米管场发射体。
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