[发明专利]碳纳米管场发射体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210217752.4 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN103515170A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 柳鹏;徐丽江;周段亮;张春海;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J1/304
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管;沿着所述多个碳纳米管轴向的方向,对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割,将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜;处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线;以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上,用激光束切断所述多个碳纳米管线,得到一碳纳米管场发射体。
搜索关键词: 纳米 发射 制备 方法
【主权项】:
一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管;沿着所述多个碳纳米管轴向的方向,对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割,将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜;处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线;以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上,用激光束切断所述多个碳纳米管线,得到一碳纳米管场发射体。
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