[实用新型]一种化学气相沉积装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种化学气相沉积装置，尤其涉及采用液相前驱 体作为原料的化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几 种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室， 借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。

在制备某些薄膜或涂层时，例如制备碳化硅薄膜，需要采用液相 物质三氯甲基硅烷作为初始原料。这种情况下，就需要对原有的以气 相物质作为初始原料的沉积装置进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积装置，能够采用液 相前驱体作为原料来进行气相沉积薄膜或涂层。

根据本实用新型的化学气相沉积装置，包括加热炉，加热炉具有 密闭的炉膛和设置在炉膛外周的加热体，炉膛中部设置有热电偶，炉 膛具有气体入口和气体出口；还包括并联的载气流路和稀释气流路， 二者都与炉膛的气体入口连接；载气流路中设置有汽化器，液相原料 在汽化器中汽化后由载气携带进入加热炉中进行气相沉积。

优选情况下，汽化器包括控温油浴锅。

优选情况下，载气流路和稀释气流路中分别设置有气体流量计。

优选情况下，还包括尾气净化装置，与炉膛的气体出口连接。

优选情况下，还包括位于炉膛中的基体支撑件。

优选情况下，还包括控制器，用来控制加热炉温度和气体流量。

根据本实用新型的化学气相沉积装置，能够采用液相前驱体作 为原料来进行气相沉积薄膜或涂层；结构简单，操作方便。

附图说明

图1为根据本实用新型的化学气相沉积装置的整体示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述。本领域技术人员应当 理解，以下描述仅用于解释本实用新型而非用于对其作出任何限制。

参见图1，根据本实用新型的化学气相沉积装置包括主要加热炉 1、控制器2、载气流路14和稀释气流路13。

加热炉1具有密闭的炉膛6，在炉膛6外周设置有加热体3，加 热体3外周设置有保温层17。炉膛6通常为竖直设置，中部设置有 热电偶8，炉膛6具有气体入口15和气体出口16。炉膛6中设置有 基体支撑件4，用来支撑待沉积的基体5。基体5可以多层布置，每 层之间设置有气体分布板。

载气流路14和稀释气流路13并联设置，二者的一端都与气源连 接，二者的另一端都与炉膛6的气体入口15连接。载气流路14和稀 释气流路13中分别设置有气体流量计12和11。为了准确控制气体 流量，气体流量计12和11优选采用质量流量计。载气流路14中设 置有汽化器9，汽化器9可以是控温油浴锅，装在原料容器18中的 液相原料在控温油浴锅中进行恒温汽化，然后由载气携带进入加热炉 1中，并通过稀释气流路11向加热炉1中通入适量的稀释气，混合 后在加热炉1中发生气相沉积反应，从而在基体5的表面沉积薄膜或 涂层。

控制器2中设置有温度控制仪10，温度控制仪10与热电偶8连 接。通过温度控制仪10来设定和调节加热炉1中的温度。另外，气 体流量计12和11也设置在控制仪2上，分别用来调节载气和稀释气 的流量。

根据本实用新型的化学气相沉积装置还可以包括尾气净化装置 7，尾气净化装置7与炉膛6的气体出口16连接，用来对反应后的尾 气进行净化处理。