[实用新型]高频成像器和成像电路

权利要求书

1.一种高频成像器，其特征在于，包括：

像素矩阵，每个像素包括：

高频振荡器；

传输线，被定位在距所述成像器的激活表面的如下距离处，该 距离小于所述振荡器的操作波长，所述传输线的第一端耦合到所述振 荡器；以及

读取电路，耦合到所述传输线的第二端。

2.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于，每个像素的所 述读取电路提供表示所述传输线的阻抗的信号。

3.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于，每个像素的所 述振荡器包括第二传输线。

4.根据权利要求3所述的成像器，其特征在于，适配于阻止高频 波的传播的层至少覆盖所述第二传输线。

5.根据权利要求3所述的成像器，其特征在于，像素的所述读取 电路提供表示所述像素的所述振荡器的频率的信号。

6.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于，所述传输线是微 带类型的。

7.根据权利要求1所述的成像器，其特征在于，所述成像器适配 于以选自0.3至3THz的范围内的频率操作。

8.一种成像电路，其特征在于，包括：

半导体支撑物；

绝缘层，形成在所述半导体支撑物上，所述绝缘层具有激活表面；

像素矩阵，形成在所述半导体支撑物和所述绝缘层中，所述像素 矩阵包括多个像素，每个像素包括，

振荡器电路，具有操作波长；

读取电路；以及

第一传输线，耦合在所述振荡器电路和所述读取电路之间， 所述第一传输线形成在所述绝缘层中、距所述激活表面的如下距离 处，该距离小于所述振荡器电路的所述操作波长。

9.根据权利要求8所述的成像电路，其特征在于，每个像素的所 述第一传输线包括共面传输线。

10.根据权利要求8所述的成像电路，其特征在于，每个像素的 所述第一传输线包括微带传输线，所述微带传输线包括微带部分和导 电带部分，所述微带部分形成在所述绝缘层中、在距所述激活表面所 述距离处，并且所述导电带部分形成在所述半导体支撑物的表面上。

11.根据权利要求10所述的成像电路，其特征在于，每个像素的 所述振荡器电路包括多个第二传输线。

12.根据权利要求11所述的成像电路，其特征在于，所述多个第 二传输线中的每个第二传输线包括形成在所述绝缘层中的微带传输。

13.根据权利要求12所述的成像电路，其特征在于，所述多个第 二传输线中的每个第二传输线还包括形成在所述绝缘层的所述激活 表面上的屏蔽层。

14.根据权利要求13所述的成像电路，其特征在于，所述屏蔽层 形成所述激活表面上、在所述振荡器电路之上并且在所述读取电路之 上但没有覆盖所述第一传输线。

15.根据权利要求14所述的成像电路，其特征在于，所述第二传 输线中的每个第二传输线形成所述振荡器电路的电感部件。

16.根据权利要求15所述的成像电路，其特征在于，每个振荡器 电路包括包含N个反相器的环形振荡器电路，N为奇整数，并且其特 征在于，所述第二传输线与所述N个反相器互连。

17.根据权利要求8所述的成像电路，其特征在于，所述半导体 支撑物包括块状硅衬底和绝缘体上硅衬底中的一种。