[实用新型]一种超薄的MOSFET封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种超薄的MOSFET封装结构。

背景技术

随着消费电子轻小化、低功耗以及功能的多样化趋势，要求主板上集成的器件越来越多，预留给器件的空间越来越小，封装后的芯片必须轻薄短小，从而为设计者在小型化和高性能之间提供更大的选择空间。

MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管。由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来被广泛应用在大量电子设备中，包括电源、汽车电子、计算机和智能手机中等。目前MOSFET封装主要是TO、SOT、SOP、QFP、QFN等形式，这类封装都是将芯片包裹在塑封体内，塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、短、薄、小方向发展的要求，而且无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了MOSFET性能提升，另外就封装工艺而言，这类封装都是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。

MOSFET性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能和电流的传导电阻，电流的传导电阻取决于传导路径长短(即与于芯片的厚度密切相关)，散热性能的好坏又主要取决于封装形式。针对目前MOSFET存在问题，有人提出采用晶圆级芯片规模封装(WLCSP)与硅穿孔TSV相结合的封装工艺。垂直MOSFET器件努力通过将漏极置于与源极接点(源极触点，sourcecontact)的表面相反(opposite)的表面上来实现低的RDS(on)。通过将漏极置于与源极接点相反的表面上，缩短了用于电流的传导通路(导电路径，conductionpath)，这使得RDS(on)降低。然而，将漏极和漏极接点置于与放置源极接点的表面相反(并且不同)的表面上，对于这种构造，单独晶圆级芯片规模封装(WLCSP)无法实现，必须结合硅穿孔TSV将源极接点、漏极接点和栅极接点转移到同一个表面上，这种类型的构造允许利用在WLCSP的一个表面上的连接于各个晶体管端子(接线端，terminal)的焊球而容易地连接至电路板布线(circuitboardtrace)。但是WLCSP和TSV相结合的封装工艺复杂，良率低，成本很高，封装的厚度比较厚。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种超薄的MOSFET封装结构，使得封装结构的整体厚度可以降低到很薄，封装结构的体积比较小，具有非常低的漏源接通电阻优异电性能和很好的散热性能。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种超薄的MOSFET封装结构，包括MOSFET晶圆，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧面呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧壁铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。

所述沟槽结构的深度为15-500μm。

所述凸点为单一结构或多层结构。

所述凸点采用金属制成或金属合金制成。

有益效果

由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本实用新型的封装结构工艺简单，可进行晶圆级加工，效率高，周期短，封装的整体厚度可以降低到很薄，封装的体积比较小，具有非常低的漏源接通电阻优异电性能和很好的散热性能。

附图说明

图1是本实用新型封装结构的示意图；

图2-图9是本实用新型中封装方法的过程示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

本实用新型的实施方式涉及一种超薄的MOSFET封装结构，如图1所示，包括MOSFET晶圆100，所述MOSFET晶圆100的电极面上设有导通部分101，所述MOSFET晶圆100的侧壁呈沟槽结构300；所述导通部分101和沟槽结构300的侧面铺有导电线路层400；所述MOSFET晶圆100的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层200和500；所述导通部分101的导电线路层400上设有凸点600；所述MOSFET晶圆100的背面铺设有背面导电层800。