[实用新型]基于化学气相沉积法制备样品的系统有效
申请号: | 201520388465.9 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN204803403U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 陈小梅 | 申请(专利权)人: | 陈小梅 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B82Y40/00;G01N1/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350206 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 化学 沉积 法制 样品 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种采用化学相沉积方法制备纳米材料试验样品的装置,尤其涉及一种基于化学气相沉积法制备样品的系统,属于纳米材料制备领域。
背景技术
纳米材料是指在三维空间中至少有一个维度的尺寸小于100nm或者由它们作为基本单元构成的材料。由于它的尺寸已经接近电子的相干长度,它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化,如光学、热学、电学、磁学、力学以及化学方面的性质和块体材料相比将会有显著的不同。所以,纳米尺度和性能特异变化是纳米材料必须同时具备的两个基本特征。
半导体纳米材料的量子尺寸效应和表面与界面等效应,使其表现出独特的光学特性,如光学发光性、吸收带边蓝移、激子发光等。尤其是II-VI族一维纳米材料,它们是宽的直接带隙半导体材料,是典型的光电半导体材料。带隙半导体材料,是典型的光电半导体材料。以硒化镉为(CdSe)例,作为典型的光电半导体材料之一,本身具有独特的光电学性质,在作为光源、光吸收、光波导、光致发光和光电转换等方面有着广阔的应用前景。
目前国内尚无成熟的专门用来制备半导体纳米材料相关样品的装置,也没有配套的测试仪器。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,解决好现有技术的问题,弥补现有目前市场上现有产品的不足。
本实用新型提供了一种基于化学气相沉积法制备样品的系统,主要包括管式炉、调节控制室、气体输入室和尾气回收室,其中管式炉由衬底、石英管、陶瓷舟、热电偶和硅碳棒构成,所述石英管从衬底中间穿设而过,热电偶插设在衬底上方,在石英管两端各设置有一硅碳棒,调节控制室分别与两个硅碳棒连接,气体输入室和尾气回收室分别连接石英管的两端。
优选的,上述陶瓷舟设置在石英管内部,热电偶设置在陶瓷舟的正上方,热电偶的底部接触石英管外壁。
优选的,上述陶瓷舟内部装有药品。
优选的,上述石英管两端开口,气体从石英管的一端进入,另一端排出。
优选的,上述气体输入室和尾气回收室分别通过硅碳棒连接石英管的两端。
优选的,上述尾气回收室内装有NaOH溶液。
本实用新型提供的基于化学气相沉积法制备样品的系统,具有操作简单、易于控制和实验周期短等特点。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
附图标记:1-管式炉;2-衬底;3-石英管;4-陶瓷舟;5-热电偶;6-硅碳棒;7-调节控制室;8-气体输入室;9-尾气回收室。
具体实施方式
为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型,下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。
本实用新型提供的基于化学气相沉积法制备样品的系统,主要包括管式炉1、调节控制室7、气体输入室8和尾气回收室9,其中管式炉1由衬底2、石英管3、陶瓷舟4、热电偶5和硅碳棒6构成,石英管3从衬底2中间穿设而过,热电偶5插设在衬底2上方,在石英管3两端各设置有一硅碳棒5,调节控制室7分别与两个硅碳棒5连接,气体输入室8和尾气回收室9分别连接石英管3的两端。
其中,陶瓷舟4设置在石英管3内部,热电偶5设置在陶瓷舟4的正上方,热电偶5的底部接触石英管3外壁。陶瓷舟4内部装有药品。石英管2两端开口,气体6从石英管2的一端进入,另一端排出。气体输入室8和尾气回收室9分别通过硅碳棒5连接石英管3的两端。尾气回收室9内装有NaOH溶液。
本实用新型采用硅碳棒6加热,硅碳棒6所在的中心温区温度最高,升温速率可以通过调节控制室7的电压电流进行控制,且温区的分布近似高斯分布,即硅碳棒6对于石英管3的位置温度最高,石英管3内温度随着远离硅碳棒6而存在一定的温度梯度,石英管3两侧的温度接近室温。将装有药品和衬底的陶瓷舟4,放在石英管3内不同位置(原则上药品位于中心温区,衬底位于上下游)。在石英管3的上游通过气体输入室8通入氩氢混合气,下游连接装有NaOH溶液的尾气处理装置尾气回收室9当中。本实用新型提供的基于化学气相沉积法制备样品的系统,具有操作简单、易于控制和实验周期短等特点。
以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式,并非以此限定本实用新型的具体实施范围,本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式,凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈小梅,未经陈小梅许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520388465.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种深海环境用多单元辅助阳极
- 下一篇:一种提高磁控溅射靶材利用率的结构
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的