[实用新型]具有绝缘组件的多晶硅还原炉有效
申请号: | 201520343938.3 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN204675839U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 石何武;严大洲;肖荣晖;汤传斌;毋克力;杨永亮;郑红梅 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵囡囡;吴贵明 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 绝缘 组件 多晶 还原 | ||
1.一种具有绝缘组件的多晶硅还原炉,所述绝缘组件包括绝缘防护装置(3)和绝缘隔热结构(4),所述多晶硅还原炉具有电极安装孔(1),所述电极安装孔(1)内穿设有电极(2),所述电极安装孔(1)的孔壁与所述电极(2)之间具有间隙,所述间隙内设置有所述绝缘防护装置(3),所述绝缘防护装置(3)包括第一绝缘护套(31)和位于所述第一绝缘护套(31)上方的第二绝缘护套(32),所述绝缘隔热结构(4)套设在所述电极(2)外周,其特征在于,所述第二绝缘护套(32)为无机材料制成,所述绝缘隔热结构(4)包括套筒(41),所述套筒(41)的至少一部分位于所述第二绝缘护套(32)的内壁和所述电极(2)之间的间隙内。
2.根据权利要求1所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第二绝缘护套(32)由陶瓷或者氮化硅制成。
3.根据权利要求1所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述绝缘隔热结构(4)还包括:
支撑部(42),具有直孔段和扩径段,所述扩径段的远离所述直孔段的端面与所述电极安装孔(1)的上端面抵接,所述套筒(41)的至少部分位于所述直孔段的孔壁和所述电极(2)之间的间隙内。
4.根据权利要求3所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述套筒(41)和/或所述支撑部(42)由陶瓷材料制成。
5.根据权利要求3所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述支撑部(42)的外周具有多个凹槽(421),所述多个凹槽(421)沿所述支撑部(42)的轴向间隔设置。
6.根据权利要求3所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述支撑部(42)还包括设置在所述直孔段和所述扩径段外周之间的圆弧过渡段。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述电极(2)的外表面具有轴向定位凸台(21),所述轴向定位凸台(21)位于所述第一绝缘护套(31)和所述第二绝缘护套(32)之间。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第一绝缘护套(31)包括第一管段(311)和第二管段(312),所述第二管段(312)的内径小于所述第一管段(311)的内径,所述第一管段(311)位于所述第二绝缘护套(32)的外周和所述电极安装孔(1)的孔壁之间,所述第二管段(312)位于所述电极(2)的外周与所述电极安装孔(1)的孔壁之间。
9.根据权利要求8所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第一绝缘护套(31)的内部通孔为阶梯孔。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第二绝缘护套(32)包括第三管段和第四管段,所述第四管段的内径小于所述第三管段的内径,所述第三管段套设在所述套筒(41)的外周与所述电极安装孔(1)的孔壁之间,所述第四管段套设在所述电极(2)的外周与所述电极安装孔(1)的孔壁之间。
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