[实用新型]具有绝缘组件的多晶硅还原炉有效

专利信息
申请号: 201520343938.3 申请日: 2015-05-25
公开(公告)号: CN204675839U 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 石何武;严大洲;肖荣晖;汤传斌;毋克力;杨永亮;郑红梅 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 赵囡囡;吴贵明
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具有 绝缘 组件 多晶 还原
【权利要求书】:

1.一种具有绝缘组件的多晶硅还原炉,所述绝缘组件包括绝缘防护装置(3)和绝缘隔热结构(4),所述多晶硅还原炉具有电极安装孔(1),所述电极安装孔(1)内穿设有电极(2),所述电极安装孔(1)的孔壁与所述电极(2)之间具有间隙,所述间隙内设置有所述绝缘防护装置(3),所述绝缘防护装置(3)包括第一绝缘护套(31)和位于所述第一绝缘护套(31)上方的第二绝缘护套(32),所述绝缘隔热结构(4)套设在所述电极(2)外周,其特征在于,所述第二绝缘护套(32)为无机材料制成,所述绝缘隔热结构(4)包括套筒(41),所述套筒(41)的至少一部分位于所述第二绝缘护套(32)的内壁和所述电极(2)之间的间隙内。

2.根据权利要求1所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第二绝缘护套(32)由陶瓷或者氮化硅制成。

3.根据权利要求1所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述绝缘隔热结构(4)还包括:

支撑部(42),具有直孔段和扩径段,所述扩径段的远离所述直孔段的端面与所述电极安装孔(1)的上端面抵接,所述套筒(41)的至少部分位于所述直孔段的孔壁和所述电极(2)之间的间隙内。

4.根据权利要求3所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述套筒(41)和/或所述支撑部(42)由陶瓷材料制成。

5.根据权利要求3所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述支撑部(42)的外周具有多个凹槽(421),所述多个凹槽(421)沿所述支撑部(42)的轴向间隔设置。

6.根据权利要求3所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述支撑部(42)还包括设置在所述直孔段和所述扩径段外周之间的圆弧过渡段。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述电极(2)的外表面具有轴向定位凸台(21),所述轴向定位凸台(21)位于所述第一绝缘护套(31)和所述第二绝缘护套(32)之间。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第一绝缘护套(31)包括第一管段(311)和第二管段(312),所述第二管段(312)的内径小于所述第一管段(311)的内径,所述第一管段(311)位于所述第二绝缘护套(32)的外周和所述电极安装孔(1)的孔壁之间,所述第二管段(312)位于所述电极(2)的外周与所述电极安装孔(1)的孔壁之间。

9.根据权利要求8所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第一绝缘护套(31)的内部通孔为阶梯孔。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的具有绝缘组件的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第二绝缘护套(32)包括第三管段和第四管段,所述第四管段的内径小于所述第三管段的内径,所述第三管段套设在所述套筒(41)的外周与所述电极安装孔(1)的孔壁之间,所述第四管段套设在所述电极(2)的外周与所述电极安装孔(1)的孔壁之间。

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