[实用新型]显示装置有效

专利信息
申请号: 201520116140.5 申请日: 2015-02-25
公开(公告)号: CN204464286U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 赵圣弼;金容一 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【说明书】:

本申请要求享有于2014年2月24日提出的韩国专利申请第10-2014-0021500号和于2015年2月23日提出的韩国专利申请第10-2015-0025174号的权益,为所有目的通过引用将该申请结合在此,如同在此全部阐述一样。

技术领域

本文涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用这种薄膜晶体管基板的显示装置。

背景技术

如今随着信息化社会的发展,针对用以显示信息的显示装置的要求也在增加。因此,开发了各种平板显示装置(或者“FPD”)来克服阴极射线管(或者“CRT”)的许多缺陷,例如重量重和体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或者“LCD”)、等离子显示面板(或者“PDP”)、有机发光显示装置(或者“OLED”)以及电泳显示装置(或者“ED”)。

平板显示装置的显示面板可以包括薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板具有以矩阵方式排列的各像素区域内分配的薄膜晶体管。例如,液晶显示装置(或者“LCD”)通过利用电场来控制液晶层的光透射率而呈现视频数据。有机发光二极管显示装置通过在以矩阵方式设置的各像素处由于其中形成有机发光二极管来适当产生受控光而显示视频数据。

作为自发光显示装置,有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高且视角大的优点。利用了能量效率优异的有机发光二极管的有机发光二极管显示装置(或者“OLED”)能被分为无源矩阵型有机发光二极管显示装置(或者“PMOLED”)和有源矩阵型有机发光二极管显示装置(或“AMOLED”)。

随着个人用具更加盛行,便携式和/或可穿戴装置也被积极地开发。为了 将显示装置应用于便携式和/或可穿戴装置,显示装置具有低功耗特性。然而,采用至目前为止已开发的技术,获得具有优异低功耗特性的显示装置还是有所限制。

实用新型内容

为了克服上述缺陷,本文的目的在于提出一种用于平板显示装置的薄膜晶体管基板,这种薄膜晶体管基板在同一基板上具有在特性方面相互不同的至少两种薄膜晶体管。本文的另一目的在于提出一种通过优化的制造工艺及最少化的掩模工艺而制造的具有两种不同类型薄膜晶体管的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板。

为了达到上述目的,本文提出一种显示装置,该显示装置包括:第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上方的第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极;第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上方的氧化物半导体层、第二源极电极和第二漏极电极;中间绝缘层,所述中间绝缘层包括氮化物层并且设置在所述第一栅极电极上;和氧化物层,所述氧化物层覆盖所述第二栅极电极并且设置在所述中间绝缘层上,其中所述氧化物半导体层设置在所述氧化物层上并且与所述第二栅极电极重叠,其中所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二栅极电极设置于所述中间绝缘层与所述氧化物层之间,并且其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述氧化物半导体层上。

在一个实施方式中,显示装置还包括:驱动器,其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管至少之一设置在像素中,并且其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管至少之一设置在所述驱动器处。

在一个实施方式中,显示装置还包括:栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述多晶半导体层,其中所述第一栅极电极设置在所述栅极绝缘层上并且与所述多晶半导体层重叠。

在一个实施方式中,所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,并且所述第一薄膜晶体管是驱动元件,所述驱动元件用于驱动所述第二薄膜晶体管所选择的所述像素的有机发光二极管。

在一个实施方式中,所述驱动器包括:数据驱动器,所述数据驱动器输出 数据电压;多工器,所述多工器把来自所述数据驱动器的所述数据电压分配给数据线;和栅极驱动器,所述栅极驱动器把扫描脉冲输出给栅极线,其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管至少之一设置在所述多工器和所述栅极驱动器任何一个处。

在一个实施方式中,所述第一源极电极通过贯通所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的源极接触孔而连接至所述多晶半导体层的一个部分,所述第一漏极电极通过贯通所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的漏极接触孔而连接至所述多晶半导体层的另一个部分,所述第二源极电极接触所述氧化物半导体层的一个部分,并且所述第二漏极电极接触所述氧化物半导体层的另一个部分。

在一个实施方式中,所述第一源极电极和所述第一漏极电极包括与所述第二栅极电极相同的材料。

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