[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201520116140.5 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN204464286U | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 赵圣弼;金容一 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上方的第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上方的氧化物半导体层、第二源极电极和第二漏极电极;
中间绝缘层,所述中间绝缘层包括氮化物层并且设置在所述第一栅极电极上;和
氧化物层,所述氧化物层覆盖所述第二栅极电极并且设置在所述中间绝缘层上,
其中所述氧化物半导体层设置在所述氧化物层上并且与所述第二栅极电极重叠,
其中所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二栅极电极设置于所述中间绝缘层与所述氧化物层之间,并且
其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述氧化物半导体层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括驱动器,
其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管至少之一设置在像素中,并且
其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管至少之一设置在所述驱动器处。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述多晶半导体层,其中所述第一栅极电极设置在所述栅极绝缘层上并且与所述多晶半导体层重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,并且
其中所述第一薄膜晶体管是驱动元件,所述驱动元件用于驱动所述第二薄膜晶体管所选择的所述像素的有机发光二极管。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述驱动器包括:
数据驱动器,所述数据驱动器输出数据电压;
多工器,所述多工器把来自所述数据驱动器的所述数据电压分配给数据线;和
栅极驱动器,所述栅极驱动器把扫描脉冲输出给栅极线,
其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管至少之一设置在所述多工器和所述栅极驱动器任何一个处。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述第一源极电极通过贯通所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的源极接触孔而连接至所述多晶半导体层的一个部分,
其中所述第一漏极电极通过贯通所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的漏极接触孔而连接至所述多晶半导体层的另一个部分,
其中所述第二源极电极接触所述氧化物半导体层的一个部分,并且
其中所述第二漏极电极接触所述氧化物半导体层的另一个部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第一源极电极和所述第一漏极电极包括与所述第二栅极电极相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第二栅极电极通过贯通所述中间绝缘层的栅极接触孔而连接至栅极线,所述栅极线包括与所述第一栅极电极相同的材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第二源极电极通过数据接触孔而连接至数据线,所述数据线包括与所述第二栅极电极相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述中间绝缘层还包括下氧化物层。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其特征在于,所述氮化物层设置在所述下氧化物层上。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:
第一半导体层,所述第一半导体层包括多晶半导体材料;
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层;
第一栅极电极,所述第一栅极电极设置在所述栅极绝缘层上并且与所述第一半导体层重叠;
中间绝缘层,所述中间绝缘层包括氮化物层并且覆盖所述第一栅极电极;
第二栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极,所述第二栅极电极、所述第一源极电极和所述第一漏极电极设置在所述中间绝缘层上;
氧化物层,所述氧化物层覆盖所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二栅极电极;
包括氧化物半导体材料的第二半导体层,所述第二半导体层设置在所述氧化物层上并且与所述第二栅极电极重叠;和
第二源极电极和第二漏极电极,所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述第二半导体层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的