[发明专利]一种用于氮化硅基底的银浆及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种银浆，具体涉及一种用于氮化硅基底的银浆及其制备方法。

背景技术

太阳能作为一种可再生的清洁能源，已经广泛应用于人们的实际生活中，其中太阳能电池应用最早，技术也最成熟。现阶段，氮化硅基太阳能电池是太阳能电池中研究的热点，银浆作为制备氮化硅基太阳能电池的主要原材料，对太阳能电池的性能有重要影响。而中国市场中制备氮化硅基太阳能电池所用的正面银浆几乎依靠进口，因此对氮化硅基太阳能电池正面银浆的研究工作至关重要。本专利主要克服了国内在氮化硅基底上阴极银浆栅线粘结性不牢固，导电性差等缺点。

发明内容

本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种用于氮化硅基底的银浆。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种用于氮化硅基底的银浆，它包括以下质量分数的组分：

优化地，它包括以下质量分数的组分：

优化地，所述纳米银颗粒的粒径为30nm～50nm，所述非离子表面活性剂为司班85中的一种。

本发明的又一目的在于提供一种上述用于氮化硅基底的银浆的制备方法，它包括以下步骤：

(a)制备纳米银颗粒；

(b)将所述纳米银颗粒与其它配方组分混合制得纳米银浆。

优化地，它还包括步骤(c)将所述纳米银浆印制于氮化硅基底上进行热退火。

优化地，步骤(a)中，所述纳米银颗粒是将银氨溶液和反应液混合后再加入还原剂反应制得。

进一步地，步骤(b)中，所述纳米银颗粒与其它配方组分混合为向所述纳米银颗粒依次加入环氧树脂、松油醇、非离子表面活性剂、乙基纤维素、碘化铅和玻璃粉。

进一步地，所述银氨溶液由硝酸银、去离子水和浓氨水混合搅拌制得；所述反应液由聚乙烯吡咯烷酮、氨水和去离子水混合搅拌制得。

进一步地，所述退火温度为700～800℃，且退火过程中采用阶梯型升温和阶梯型降温：于300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃分别保温10min、9min、8min、7min、6min、5min。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明用于氮化硅基底的银浆，通过采用特定组分和含量的银浆，能够使其与氮化硅基底具有高度的匹配性，确保制得的阴极银浆栅线粘结性牢固且具有较高的导电性。本发明用于氮化硅基底的银浆的制备方法，工艺简单、可实现产业化，易操作。

附图说明

附图1为实施例1制备的纳米银颗粒的SEM图；

附图2为实施例2中纳米银浆在高温退火前的SEM图；

附图3为实施例3中纳米银浆在高温退火后的SEM图。

具体实施方式

本发明用于氮化硅基底的银浆，它包括以下质量分数的组分：纳米银颗粒60～70％；环氧树脂10～20％；松油醇3～8％；非离子表面活性剂3～8％；乙基纤维素1～5％；氧化铅1～5％；玻璃粉1～8％。通过采用特定组分和含量的银浆，能够使其与氮化硅基底具有高度的匹配性，确保制得的阴极银浆栅线粘结性牢固且具有较高的导电性。

上述用于氮化硅基底的银浆优选包括以下质量分数的组分：纳米银颗粒68.5％；环氧树脂15％；松油醇5％；非离子表面活性剂5％；乙基纤维素2％；碘化铅1.5％；玻璃粉3％；该比例的银浆以及由该银浆制得的阴极银浆栅线具有高电导率。所述纳米银颗粒的粒径优选为30nm～50nm，所述非离子表面活性剂优选为司班85。

上述用于氮化硅基底的银浆的制备方法，它包括以下步骤：(a)制备纳米银颗粒；(b)将所述纳米银颗粒与其它配方组分混合制得纳米银浆。该方法工艺简单、可实现产业化，易操作。它还包括步骤(c)将所述纳米银浆印制于氮化硅基底上进行热退火，以制得阴极银浆栅线。