[发明专利]硒碲合金半导体微米线的制备方法

权利要求书

1.硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于硒碲合金半导体超长微米线的组分 可调，即组分变化为Se_xTe_1-x，0≤x≤1；制备时将硒粉和碲粉混合均匀并紧密地填充到 玻璃管即包层玻璃中，密封管的两端，成光纤预制棒；然后采用光纤拉制技术，将光纤预制 棒拉制成微米细丝；细丝的外层为玻璃，细丝的芯为硒碲合金。

2.如权利要求1所述的硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于包层玻璃的拉 丝温度高于硒(Se)的熔点和碲(Te)的熔点，而低于硒(Se)的沸点和碲(Te)的沸点。

3.如权利要求1所述的硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于采用磷酸盐玻 璃管作为包层，采用粉管法拉制具有玻璃包层硒碲合金半导体纤芯的纤维，在磷酸盐包层 玻璃成丝时，纤芯中的硒和碲处于熔融状态，同时反应形成合金半导体，随着包层一起拉 丝；在拉丝过程中，磷酸盐包层玻璃不与硒和碲反应，且硒和碲没有达到沸点。

4.如权利要求1所述的硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于具体包括如下 步骤：以高纯硒(Se)粉、碲(Te)粉为原料，混合均匀并紧密地填充到一端封闭的磷酸盐玻璃 包层管中，玻璃管的外径15~30mm,内径2~4mm,长70~100mm；然后将填充好的磷 酸盐包层管抽真空后，将其另一端封闭，并在拉丝塔上拉丝；拉丝温度620~650℃，拉制的 硒碲合金半导体纤维具有磷酸盐玻璃包层，纤芯为硒碲合金半导体，即磷酸盐玻璃包层硒 碲合金半导体纤维，纤维的外径200~600μm，纤芯直径55~400μm，纤芯能连续几十厘 米。

5.如权利要求4所述的硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于还包括：将磷酸 盐玻璃包层硒碲合金半导体纤维浸泡在浓度为35%HF和10%的HCl混合酸溶液中4~6小 时，水浴加热40℃，最后将产物超声，分离，清洗即得到硒碲合金半导体超长微米线。

6.如权利要求4所述的硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于，硒碲合金半导 体微米线的丝径为50微米~400微米。