[发明专利]碳化硅基板上的沟槽结构以及其制作方法有效
| 申请号： | 201510888732.3 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106711035B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 朱冠维;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;李岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅基板 保护层 阻挡层 沟槽结构 图案化 移除 制作 高温回火工艺 图案化阻挡层 依序提供 罩幕图案 圆弧状 开口 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽结构的制作方法，其特征在于，包含：
提供一碳化硅基板；
形成一保护层于该碳化硅基板上；
形成一阻挡层于该保护层上；
图案化该阻挡层与该保护层，以形成一开口；
以图案化的该阻挡层为硬式罩幕，通过该开口图案化该碳化硅基板，以形成一沟槽；
移除图案化的该阻挡层；
进行一回火工艺，以形成一圆弧状的沟槽底部；以及
移除该保护层。
2.如权利要求1所述的沟槽结构的制作方法，其特征在于，该回火工艺温度介于1450℃到1850℃之间。
3.如权利要求1所述的沟槽结构的制作方法，其特征在于，该回火工艺温度介于1600℃到1850℃之间，该碳化硅基板于该回火工艺阶段同时完成一活性化处理工艺。
4.如权利要求1所述的沟槽结构的制作方法，其特征在于，该保护层的材料为石墨或氮化铝。
5.如权利要求1所述的沟槽结构的制作方法，其特征在于，该阻挡层的材料为二氧化硅、氮化硅、或金属。
6.如权利要求2所述的沟槽结构的制作方法，其特征在于，该回火工艺采用氢气、氮气、或钝气环境。
7.如权利要求3所述的沟槽结构的制作方法，其特征在于，该回火工艺采用氮气或钝气环境。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
