[发明专利]氮化硅材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510860010.7 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105503198A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 曾小锋;李勇全 | 申请（专利权）人： | 衡阳凯新特种材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/81;C04B35/626;C04B35/65 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李弘 |
| 地址： | 421000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将硅粉、石墨粉、钇铝硅锂镁化合物和氮化硅粉混合，得到混合粉末；
然后向所述混合粉末中加入聚乙烯醇水溶液、丙烯酸铵水溶液和水，配 成料浆；
将所述料浆球磨后造粒，然后成型为坯体；
将所述坯体干燥后放入微波气氛烧结炉进行烧结，烧结后得到所述氮化 硅材料。
2.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，在所述 混合粉末中，所述硅粉、石墨粉、钇铝硅锂镁化合物和氮化硅粉所占质量百 分数分别为1～3％、1～3％、2～4％以及90～96％。
3.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，在所述 料浆中，所述硅粉、石墨粉、钇铝硅锂镁化合物、氮化硅粉的总质量占料浆 的45～60％。
4.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，采用干 压或等静压成型方法，80～300MPa压力下成型得到坯体。
5.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，所述将 所述坯体干燥后放入微波气氛烧结炉进行烧结的步骤包括：
先通氩气保护，升温至1300～1400℃，保温1～5h；
然后将气氛置换为氮气保护，继续升温至1600～1700℃，保温1～5h。
6.根据权利要求5所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，所述微 波气氛烧结炉的升温速度为1～5℃/min。
7.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，所述钇 铝硅锂镁化合物的制备方法包括以下步骤：
将Li2O、Al2O3、Y2O3、MgO和SiO2粉末混合，然后压成圆片；
将所述圆片升温加热至750～850℃，保温2～4h；
再继续升温加热至950～1150℃，保温2～4h，即得到3LiYO2· 2LiAlSiO4·(0.1～0.5)MgO的复合化合物。
8.根据权利要求7所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，所述圆 片的厚度为2～6mm，所述圆片的升温速度为2～10℃/min。
9.根据权利要求1所述的氮化硅材料的制备方法，其特征在于，所述聚 乙烯醇水溶液的质量浓度为1～2％，所述丙稀酸铵水溶液的质量浓度为0.8～ 1.2％。
10.一种氮化硅材料，其特征在于，所述氮化硅材料根据权利要求1～9 中任意一项所述的氮化硅材料的制备方法制备得到。
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