[发明专利]半导体器件及其操作方法

说明书

一种半导体器件包括：存储阵列，包括存储块；以及操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环，其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年11月5日提交的申请号为10-2014-0153087的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

各种的示例性实施例总体涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种包括存储块的半导体器件及其操作方法。

背景技术

半导体器件包括多个存储块。多个存储块被布置成线并且根据其在半导体器件中的位置而具有变化的特性。

因此，操作条件可以根据存储块中的每个的特性来设置。

发明内容

实施例针对一种能够通过改变用于所指定的存储块的操作条件来改善电特性的半导体器件以及一种操作方法。

根据一个实施例的半导体器件可以包括：存储阵列，包括存储块；以及操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环，其中操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。

根据另一个实施例的半导体器件可以包括：存储器件，包括存储块；以及电流测量电路，适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值，其中，存储器件对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在包括在选定存储块中的选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异。

根据又一个实施例的半导体器件可以包括：存储阵列，包括存储块；操作电路，适用于在基于补偿值来改变用于存储单元和选择晶体管的编程条件时，对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环；以及电流测量电路，适用于基于参考单元电流值和选定存储块的单元电流值来确定补偿值。

根据另一个实施例的半导体器件的操作方法可以包括：确定参考单元电流值；测量选定存储块的单元电流值；基于选定存储块的单元电流值以及参考单元电流值来确定补偿值；当基于补偿值来改变用于存储单元和选择晶体管的编程条件时，对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环；以及迭代单元电流值的测量、补偿值的确定以及编程循环的执行，直到选定存储块是最后块。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的半导体器件的框图；

图2A和图2B是示出根据一个实施例的存储块的示图；

图3A至图3C是示出根据另一个实施例的存储块的示图；

图4是示出根据一个实施例的半导体器件的操作方法的流程图；

图5是根据一个实施例的存储系统的示意框图；

图6是执行根据先前描述的各种实施例的编程操作的融合式(fusion)存储器件或融合式存储系统的示意框图；以及

图7是根据一个实施例的包括快闪存储器件的计算系统的示意框图。

具体实施方式

在下文，将参考附图来详细地描述各种示例性实施例。在附图中，为了便于说明，组件的厚度和长度可以被夸大。在下面描述中，为了解释的简化和简洁，相关的功能和构造的详细解释可以被省略。相同的附图标记在说明书和附图中指示相同的组件。

图1是示出根据一个实施例的半导体器件的框图。