[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510745542.6 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105575429B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 全裕男;沈根守;吴海顺;朴凤烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/04;G11C16/34;G11C16/28;G11C16/30;H01L27/11519;H01L27/11565 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
NAND快闪存储器件的存储阵列，包括存储块；
操作电路，适用于对包括在选定存储块中的存储单元和选择晶体管执行编程循环和擦除循环；以及
电流测量电路，适用于确定参考单元电流值，
其中，操作电路对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与所述参考单元电流值之间的差异而在选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异，以及
其中，电流测量电路通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，操作电路在对选择晶体管执行擦除循环之后执行编程循环。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，操作电路在参考单元电流值被确定之后，以从第一存储块至最后存储块的顺序方式对选择晶体管执行编程循环。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，电流测量电路适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，操作电路适用于在电流测量电路测量选定存储块的单元电流值时将操作电压施加至选定存储块。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，操作电路适用于将第一正电压施加至选定存储块的位线，将接地电压施加至公共源极线，以及将第二正电压施加至存储单元和选择晶体管。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，选择晶体管包括耦接至位线的漏极选择晶体管和耦接至公共源极线的源极选择晶体管，以及
操作电路基于单元电流值与参考单元电流值之间的差异来对漏极选择晶体管执行编程循环。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，选择晶体管中的每个包括电荷储存层，电荷储存层包括氮化物层。
9.一种半导体器件，包括：
NAND快闪存储器件，包括存储块；以及
电流测量电路，适用于经由位线来测量选定存储块的单元电流值，
其中，NAND快闪存储器件对选择晶体管执行编程循环，使得基于选定存储块的单元电流值与参考单元电流值之间的差异而在包括在选定存储块中的选择晶体管的阈值电压与目标阈值电压之间发生差异，以及
其中，电流测量电路通过经由位线从位于存储阵列的中间的存储块测量单元电流值来确定参考单元电流值。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，NAND快闪存储器件在参考单元电流值被确定之后以从第一存储块至最后存储块的顺序方式来对选择晶体管执行编程循环。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，NAND快闪存储器件适用于在电流测量电路测量选定存储块的单元电流值时，将第一正电压施加至选定存储块的位线，将接地电压施加至公共源极线，以及将第二正电压施加至存储单元以及选择晶体管。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，选择晶体管包括耦接至位线的漏极选择晶体管和耦接至公共源极线的源极选择晶体管，
NAND快闪存储器件基于单元电流值与参考单元电流值之间的差异来对漏极选择晶体管执行编程循环。
13.如权利要求9所述的半导体器件，其中，选择晶体管中的每个包括电荷储存层，电荷储存层包括氮化物层。
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