[发明专利]液晶显示面板的制作方法和液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种液晶显示面板的制作方法和一种液晶显示面板。

背景技术

在TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay)领域，通常在会在彩膜基板和阵列基板上涂布一层PI层来形成预倾角，该PI层用于使液晶具有固定倒向，从而有利于液晶显示。

然而，由于框胶通常会涂布在彩膜基板的边缘，而且转换层也紧挨着框胶，因此彩膜基板边缘的PI层的涂布不能超过框胶的位置，即PI层的边缘必须在显示区和框胶内侧的边缘之间，否则会出现框胶脱落，造成液晶显示面板显示异常。在现有技术中，通常会在PI层的边缘设置挡墙部件来防止PI液超过框胶边缘。而目前的挡墙部件一般由一道或几道挡墙形成，挡墙部件的高度是PI层厚度的10倍以上。

现有的挡墙部件通常会制成突起式的墙状，PI液流经挡墙部件时会受到一个比较大的反作用力，使得PI液回流并堆积在彩膜基板显示区的边缘附近，导致显示区边缘PI层的厚度增加，影响液晶显示面板的画面显示。

针对上述技术存在的问题，在本领域中希望寻求一种液晶显示面板的制作方法，该方法可用于制作一种挡墙部件来更好地防止PI液回流并堆积在彩膜基板显示区的边缘附近，从而进一步提高液晶显示面板的画面显示效果，以解决现有技术中的不足之处。

发明内容

为了进一步提高液晶显示面板的画面显示效果，本发明提供了一种液晶显示面板的制作方法和一种液晶显示面板。

根据本发明提供的一种液晶显示面板的制作方法，包括：

在第一基板上涂覆一定厚度的黑矩阵层；

对黑矩阵层的位于第一基板的边缘处的部分进行处理，以在第一基板边缘处形成具有沟槽的黑矩阵挡墙。

在本发明提供的液晶显示面板的制作方法中，首先在第一基板上涂覆一定厚度的黑矩阵层，随后对对黑矩阵层的位于第一基板的边缘处的部分进行开沟槽处理，其形成的沟槽用于容纳流经黑矩阵挡墙的PI液，即当PI流液经黑矩阵挡墙时，PI液会聚集在沟槽内，而不会堆积在显示区的边缘。与现有技术中在黑矩阵层上额外设置的挡墙部件不同，本发明的液晶显示面板的制作方法中，黑矩阵挡墙直接由黑矩阵层形成，即黑矩阵层同时实现了遮光和隔离挡墙的功能，因此减少了现有技术中额外制作挡墙部件的制程，大大地提高了生产效率。

在一些实施方案中，黑矩阵挡墙的沟槽由多个凸部和位于相邻凸部之间的凹部形成。各个凸部和凹部相互配合形成用于容纳PI液，从而避免流经各凸部和凹部的PI液回流并堆积在显示区附近，从而在提高产品的生产良率的同时有利于提高液晶显示面板的画面显示质量。

在一些实施方案中，黑矩阵挡墙的凸部和凹部将黑矩阵挡墙构造成条纹状。通过这种设置，当PI液对黑矩阵挡墙的作用力较大时，会有较大量的PI液越过黑矩阵挡墙的凸部而进入凹部，此时各个凹部可实现对越过各个凸部的PI液的快速分流，同时各个凸部可对分流后的PI液进行阻挡，从而防止PI液回流到显示区。

在一些实施方案中，黑矩阵挡墙的凸部和凹部将黑矩阵挡墙构造成网格状。该设置可实现黑矩阵挡墙对越过其的PI液的进一步加速分流，从而进一步防止PI液回流到显示区。

在一些实施方案中，黑矩阵挡墙的制作步骤包括：

在黑矩阵层上涂覆光刻胶层；

采用半曝光技术的相应光罩对光刻胶层进行曝光以得到所需的黑矩阵挡墙的掩膜图形；

对光刻胶层上的掩膜图形进行显影；

继续对光刻胶层进行蚀刻以得到所需的黑矩阵挡墙。

该方案中的光刻胶层可采用正性光阻，利用半曝光技术，通过相应的光罩，全透光区域的正性光阻未与光发生反应，全部留下；半透光区域的正性光阻与光部分发生反应，留下一部分，未透光区域的正性光阻全部与光发生反应消失；通过控制曝光量来控制黑矩阵挡墙各部分的厚度。

值得注意的是，为防止PI液完全越过黑矩阵挡墙，可将黑矩阵挡墙的背离显示区的一侧的凸部的厚度设计成高于其它凸部的厚度，例如各个凸部的厚度在沿朝向显示区的方向上设置成依次递减。

在一些实施方案中，蚀刻的方法采用离子束蚀刻的方法。该方案中可通过控制离子束的能量来控制蚀刻的深度，随后，使用相应的酸性液体去除光刻胶即可完成黑矩阵挡墙的制作。