[发明专利]显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种显示器，其特征在于，包括：

相对设置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括：呈阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元均包括一个第一TFT元件以及一个第二TFT元件，所述像素单元中所述第一TFT元件与第二TFT元件之外的透光区域为显示区；

设置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一侧表面的透明参考电位层，所述透明参考电位层位于所述显示区之上；设置在所述参考电位层上的不透明形变层，所述形变层的表面覆盖有氧化层，所述氧化层用于将所述形变层与所述参考电位层绝缘；

其中，所述第一TFT元件的输出电极与所述参考电位层电连接；所述第二TFT元件的输出电极与所述形变层电连接；所述形变层用于根据其与所述参考电位层的电压差，以其与所述TFT基板的连接部分为轴发生与所述电压差对应程度的弹性形变，以改变所述形变层对所述显示区的覆盖面积。

2.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述形变层的材料为金属材料，所述氧化层的材料为所述金属材料的氧化物。

3.根据权利要求2所述的显示器，其特征在于，所述形变层的材料为铝，所述氧化层的材料为氧化铝。

4.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述形变层所处的空间为常压空间。

5.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，还包括：

设置在所述彩膜基板朝向所述TFT基板一侧表面的透明平坦层，所述平坦层用于保护所述彩膜基板的色阻材料。

6.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述TFT基板与所述彩膜基板之间设置有支撑部件，所述形变层发生最大形变时，所述支撑部件的厚度大于所述形变层最高点与所述TFT基板上表面之间的距离。

7.根据权利要求6所述的显示器，其特征在于，所述支撑部件形状为圆柱结构、立方体结构、球体结构、椎体结构或棱台结构。

8.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，还包括：

覆盖所述连接部分的保护层，所述保护层用于固定所述连接部分。

9.根据权利要求1至8任一项所述的显示器，其特征在于，所述形变层的厚度为大于等于1nm，小于等于10000nm。

10.一种显示器的制作方法，其特征在于，包括：

提供TFT基板，所述TFT基板包括：多个第一TFT元件、多个第二TFT元件以及覆盖于所述第一TFT元件和所述第二TFT元件之上的透明平坦层；

在所述透明平坦层内形成与所述第一TFT元件的输出电极贯通的第一通孔以及与所述第二TFT元件的输出电极贯通的第二通孔；

在所述透明平坦层之上形成参考电位层，所述参考电位层通过所述第一通孔与所述第一TFT元件的输出电极电连接；

在所述参考电位层上形成形变层，所述形变层通过所述第二通孔与所述第二TFT元件的输出电极电连接；

在所述形变层的表面形成氧化层，所述氧化层用于将所述形变层与所述参考电位层绝缘；

提供一彩膜基板，将所述彩膜基板与所述TFT基板贴合，所述形变层以及参考电位层位于所述彩膜基板与所述TFT基板之间；

其中，所述形变层能够以其与所述TFT基板的连接部分为轴发生不同程度的弹性形变，以改变其对所述第一TFT元件与所述笫二TFT元件之外的显示区的覆盖面积。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述形变层的表面形成氧化层时，氧化时间大于等于1秒，小于等于1000秒。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在常压、真空或低压环境下，将所述彩膜基板与所述TFT基板贴合。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述常压或低压环境为充满抑制氧化气体的环境。