[发明专利]高K金属栅极结构的制造方法在审
| 申请号： | 201510611666.5 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105185702A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;李润领;周海锋;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 制造 方法 | ||
1.高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上依次沉积通孔刻蚀停止层、层间绝缘氧化层后，曝露伪栅极；
移除所述伪栅极，形成凹槽；
依次沉积高K介电层、保护层覆盖所述衬底与所述层间绝缘氧化层的上表面；
沉积一层牺牲材料于所述保护层上，并刻蚀所述牺牲材料；
刻蚀所述高K介电层与所述保护层于所述凹槽的内部，移除所述牺牲材料。
2.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述通孔刻蚀停止层为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺曝露所述伪栅极。
4.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
刻蚀所述牺牲材料时，将所述牺牲材料、所述高K介电层、所述保护层一并刻蚀停止于所述层间绝缘氧化层的上表面。
5.根据权利要求4所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用所述化学机械研磨工艺刻蚀所述牺牲材料、所述高K介电层、所述保护层。
6.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，采用回拉工艺刻蚀所述高K介电层与所述保护层于所述凹槽的内部。
7.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
刻蚀所述牺牲材料时，将所述牺牲材料刻蚀停止于所述凹槽的内部。
8.根据权利要求7所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，
所述牺牲材料刻蚀停止于所述凹槽的内部的位置与刻蚀所述高K介电层与所述保护层于所述凹槽的内部的位置平齐。
9.根据权利要求7所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，采用平坦化工艺与所述回拉工艺刻蚀所述牺牲材料刻蚀停止于所述凹槽的内部。
10.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲材料为A-Si或A-C或PR。
11.根据权利要求1所述的高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述高K介电层与所述保护层刻蚀停止于所述凹槽的深度为所述伪栅极的高度的1/4到3/4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510611666.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
