[发明专利]电路布置和形成电路布置的方法

说明书

技术领域

各种实施例总体上涉及电路布置，并且涉及用于形成电路布置的方法。

背景技术

在电路布置中，可以集成例如在半导体衬底(例如，n型掺杂的衬底)中形成的集成电路(IC)、电容器(例如，阻断电容器)，例如用于阻断高频(HF)信号的电容器、例如金属绝缘体半导体电容器(MISCAP，其中“金属”可以不严格地为金属，也可以是任何传导性材料，例如掺杂的半导体，例如简并半导体)。电容器(例如，阻断电容器)可以形成有其电极，该电极基本上平行于半导体衬底的主表面。因此电容器的顶部电极可以是可接入的，但是可以在顶部电极下面隐埋底部电极，并且可能需要形成用于连接底部电极的单独的接触。此外，可能需要将单独的接触电连接到接地。通常，这可以已经通过可以在电容器的顶部电极旁边横向布置的掺杂的区域的手段来实现。掺杂的区域可以是与底部电极电连接的。掺杂的区域可以另外连接到接地，例如，例如跨半导体的表面外部连接。这样的用于底部电极的接触方案可能导致串联电阻和串联电感，这可能是阻断电容器中的缺点。

发明内容

在各种实施例中，可以提供一种电路布置。该电路布置可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及从该第一表面延伸到该半导体衬底中的第一传导类型的第一掺杂的区域。该电路布置还可以包括至少一个电容器，该至少一个电容器包括：从第二表面延伸到半导体衬底中的包含第一传导类型的掺杂的区域的第一电极；在第一电极之上形成的、从第二表面远离半导体衬底延伸的介电质层；以及在介电质层之上、与第一电极相对形成的第二电极。该电路布置还可以包括单片化集成在半导体衬底中的至少一个半导体设备。该第一传导类型的第一掺杂的区域可以从该第一表面延伸到该半导体衬底中以形成与该第一电极的导电连接。

附图说明

在附图中，相同的附图文字一般在不同视图中通篇指代相同的部分。附图未必按比例绘制，一般替代地将重点放在说明本发明的原理上。在以下描述中，将参照附图描述本发明的各种实施例，其中：

图1示出了根据各种实施例的电路布置的一部分的截面图；

图2A示出了根据各种实施例的电路布置的一部分的截面图，并且图2B示出了根据各种实施例的电路布置的截面图；

图3A和图3B示出了用于根据各种实施例的电路布置的电容器的实验结果的图形图示；以及

图4示出了图示用于形成根据各种实施例的电路布置的方法的示图。

具体实施方式

以下具体实施方式参照附图，附图通过图示方式示出了其中实践本发明的具体细节和实施例。

在本文使用词语“示例性”来表示“用作示例、实例或者说明”。在本文被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定要被理解为相对于其它实施例或设计是优选的或有利的。

关于在一侧或表面“之上(over)”形成的沉积的材料的词语“之上”可以在本文被使用来表示该沉积的材料可以“直接地在(directlyon)”该暗示的一侧或表面上(例如，与其直接接触)形成。关于在一侧或表面“之上”形成的沉积的材料的词语“之上”可以在本文被使用来表示该沉积的材料可以利用被布置在该暗示的一侧或表面与沉积的材料之间的一个或多个附加层来“间接地在(indirectlyon)”该暗示的一侧或表面上形成。

在电路布置中，例如在IC中，可以提供电容器(例如，阻断电容器)，该电容器可以具有有着低阻抗和低传导性的端子(例如，用于连接到电路布置的衬底)。此外，具有高电容的绝缘的电容器对于各种不同的任务可能是必需的。例如在移动通信设备中提供该电路布置，例如用于前置放大器、GPS传感器和/或高频应用。

在各种实施例中，在形成在衬底中的电路布置中，可以提供电容器。(隐埋式)底部电极可以通过在衬底内形成的、在底部电极和衬底的后侧之间的传导路径而被电连接到衬底的后侧。由此，底部电极可以以低阻抗和低传导性进行电连接。此外，来自衬底的后侧的电连接可以节省衬底面积并且可以在无需那些用于形成电路布置的其它半导体器件的附加工艺的情况下而被形成。

在各种实施例中，可以提供包括衬底(例如，半导体衬底)的电路布置。电路布置可以包括在前侧上(例如，在衬底的前表面上)形成的电容器。该电容器可以以低阻抗和低传导性的连接的方式被电连接到衬底，例如电连接到后侧(例如衬底的与前侧(例如，衬底的前表面)相对的后表面)。可以例如在电容器(例如电容器的电极、例如底部电极)与衬底的后侧之间提供电连接。