专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有改进的样本管定心的NMR探头-CN201410466283.9有效
  • D·施米蒂格;D·阿尔阿德万-斯托基克维克;D·威廉 - 布鲁克碧奥斯平股份公司
  • 2014-06-26 - 2019-06-07 - G01R33/30
  • 本公开涉及具有改进的样本管定心的NMR探头。一种NMR探头(3),具有线圈系统(9)和样本管(4)的径向定心装置,该线圈系统相对于NMR探头径向固定,其特征在于,至少一个另一定心装置(6)轴向放置在线圈系统上方且与第一定心装置上方距离具有轴向间隔(d),该轴向间隔(d)被选定,并且定心装置中的通道开口的尺寸和几何形状被设计为,使得在第一定心装置和另一定心装置相互作用中,该第一定心装置限定样本管移动的径向范围至这种程度,使得样本管不能接触危险空间(7),在样本管传送到其测量位置的整个过程中,该危险空间沿接收线圈系统区域内轴向延伸并且在后者(接收线圈系统)内径向延伸,其中另一定心装置连接到NMR探头。
  • 具有改进样本定心nmr探头
  • [发明专利]电路布置和形成电路布置的方法-CN201510587722.6在审
  • D·威廉 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2015-09-15 - 2016-03-23 - H01L27/04
  • 提供了一种电路布置。该电路布置可以包括半导体衬底,该半导体衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面,以及从第一表面延伸到半导体衬底中的第一传导类型的第一掺杂的区域。该电路布置可以包括至少一个电容器,该至少一个电容器包括:包括从第二表面延伸到半导体衬底中的第一传导类型的掺杂的区域的第一电极;在第一电极之上形成的、从第二表面远离半导体衬底延伸的电介质层;以及在电介质层之上形成的、与第一电极相对的第二电极。该电路布置还可以包括被单片地集成在半导体衬底中的至少一个半导体器件。第一传导类型的第一掺杂的区域可以从第一表面延伸到半导体衬底中以形成与第一电极的导电连接。
  • 电路布置形成方法
  • [发明专利]从其支化异构体分离未支化烃的方法-CN200880024245.0无效
  • M·舒伯特;U·米勒;C·基纳;I·里希特;D·威廉;F·波普洛 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2008-06-30 - 2010-06-16 - C07C7/135
  • 本发明涉及一种从包含未支化烃和至少一种该未支化烃的支化异构体的流体混合物中分离至少一种未支化C4-C20烃的方法,其包括以下步骤:使流体混合物与包含多孔金属有机骨架材料的吸附剂接触,以吸附未支化烃,所述材料包含至少一种与至少一种金属离子配位键合的至少二齿有机化合物,其中所述至少一种至少二齿有机化合物为衍生自至少一种选自吡咯、α-吡啶酮和γ-吡啶酮的杂环的单环、双环或多环体系,所述环体系具有至少两个环中氮且未取代或者带有一个或多个独立地选自卤素、C1-6烷基、苯基、NH2、NH(C1-6烷基)、N(C1-6烷基)2、OH、O-苯基和OC1-6烷基的取代基,其中取代基C1-6烷基和苯基未取代或者带有一个或多个独立地选自卤素、NH2、NH(C1-6烷基)、N(C1-6烷基)2、OH、O-苯基和OC1-6烷基的取代基。本发明还涉及所述多孔金属-有机骨架材料在从其支化异构体中分离未支化烃的方法中的用途。
  • 支化异构体分离未支化烃方法
  • [发明专利]通过监控半桥或全桥式电路中的VS电压进行的双向电流检测-CN200580025304.2无效
  • X·C·程;J·本田;D·威廉 - 国际整流器公司
  • 2005-06-02 - 2009-05-13 - G01R31/28
  • 一种在包含高端和低端晶体管开关的桥接开关晶体管输出电路,特别是MOSFET中,确定输出电流的装置和方法。检测高端开关和低端开关之间公共节点的电压,对第一电路中的电压偏移固定量以使得该电压对所关注的所有正负输出电流来说都是正的。实际中第二电路仅在与低端开关开启时间相关的预定时间内接收偏移电压信号,在第二电路中确定输出电流。第一电路包括电流参考源/电平位移器和由特定电路配置的多个晶体管组成的电流镜电路。第二电路在所需时间内通过栅控NMOS晶体管耦合到第一电路的输出端以提供电流测量信号。第二电路包括具有与第一电流参考源相同电子特性的第二电流参考源,以及多个第二晶体管,分别匹配于输入端电路晶体管并且在相同的电路结构中连接。在第二电路中,将偏移信号与高低参考信号进行比较,如果输出电流超过过电流限制,则提供正的或负的指示。优选的,将检测电路与输出电路栅极驱动器集成于单个IC中。
  • 通过监控全桥式电路中的vs电压进行双向电流检测
  • [发明专利]自适应CFL控制电路-CN03825088.8无效
  • T·里巴里希;D·威廉 - 国际整流器公司
  • 2003-09-19 - 2005-11-09 - G05F1/00
  • 一种电子镇流器提供了用于过电流保护和半桥硬切换的故障检测和安全特性。根据可操作的反馈参数,压控振荡器提供可变化的切换频率。为了自适应地调整压控振荡器的频率,反馈电路读出负载电流并输出电压,以判断故障条件和提供控制信息。通过适当地控制压控振荡器输出,电子镇流器保持具有最小电流切换的零电压切换,以获得高效的且稳固的电子镇流器控制。整个控制集成在单片集成电路上。
  • 自适应cfl控制电路

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