[发明专利]具有可见光及紫外光探测功能的单芯片影像传感器及其探测方法

权利要求书

1.一种单芯片影像传感器，其特征在于，包括：位于单芯片上的可见光传感器和位于UV感测区域的UV传感器，该UV传感器为UV带通滤光层；所述的影像传感器在可见光环境下拍摄影像，并实时或分时地检测出其中的紫外线信息。

2.根据权利要求1所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的可见光传感器包括：

一光电探测器阵列，以及

一用于获得可见光影像的滤色器阵列。

3.根据权利要求1或2所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的可见光传感器包括：一封装层，所述UV带通滤光层设置于该封装层的上方或下方。

4.根据权利要求1所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的UV带通滤光层与所述滤色器阵列为一体化结构。

5.根据权利要求4所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的一体化结构，通过增加特殊掺杂材料或和/或去除滤色器阵列上的某个遮挡UV光的材料层得以实现。

6.根据权利要求1所述的单芯片影像传感器，其特征是，

所述的UV感测区域，其部分或全部位于以下任一位置：

1)所述的可见光传感器的光电探测器阵列的区域，

2)所述的可见光传感器的参考行的区域，

3)所述单芯片上可见光传感器以外的区域，且不与可见光传感器的区域相接。

7.根据权利要求6所述的单芯片影像传感器，其特征是，当所述的UV感测区域位于所述单芯片上可见光传感器以外的区域，且不与可见光传感器的区域相接时，所述的单芯片影像传感器上进一步设有用于该UV感测区域的独立的光电探测器和单独的读出电路。

8.根据权利要求6所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的参考行的区域上设有金属层；当所述的UV感测区域位于所述的可见光传感器的参考行的区域时，所述的UV带通滤光层直接设置于金属层上或替换相应位置的金属层。

9.根据上述任一权利要求所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的UV带通滤光层包括：

一红外及可见光滤色层，以及

一能够将UV辐射转化为可见光的UV涂层。

10.根据权利要求9所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的红外及可见光滤色层由能够阻挡可见光和红外线的材料制成；所述的UV涂层由能够将UV光谱波段的入射光转换换为可见光波段的材料制成。

11.根据权利要求1～8中任一所述的单芯片影像传感器，其特征是，所述的UV带通滤光层包括：

一能够将UV辐射转化为可见光的UV涂层。

12.一种信号传输方法，其特征在于，以时序方式逐帧传输可见光影像数据和/或UV数据。

13.根据权利要求12所述的信号传输方法，其特征是，所述的UV数据中设有一数据头，该数据头中含有与所述UV数据相关的嵌入信息。

14.根据权利要求13所述的信号传输方法，其特征是，所述的相关的嵌入信息，包括所述的UV数据的：帧频、增益、均值中的任意一个或其组合。

15.根据权利要求12所述的信号传输方法，其特征是，所述的逐帧传输，通过在每一帧的开始处设置帧起始信号实现。

16.一种UV辐射强度的检测方法，其特征在于，通过将上述任一权利要求中所述的传感器指向被测对象并倾斜一角度，通过对所述传感器测得的数据分析后实现。

17.根据权利要求16所述的UV辐射强度的检测方法，其特征是，所述的分析是指，选择所述数据中的平均值、最大值、中间值或标准差。