[发明专利]有机发光二极管以及包括其的有机发光显示装置有效
| 申请号: | 201510508292.4 | 申请日: | 2015-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN105390522B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 金东赞;金元钟;金应道;徐东揆;林多慧;任相薰;秋昌雄 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;何可 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 以及 包括 发光 显示装置 | ||
1.有机发光显示装置,其包括:
衬底;
在所述衬底上的栅极线;
数据线和驱动电压线;
连接至所述栅极线和所述数据线的开关薄膜晶体管;
连接至所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线的驱动薄膜晶体管;以及
连接至所述驱动薄膜晶体管的有机发光二极管,其中所述有机发光二极管包括:
彼此相向的第一电极和第二电极;
在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;以及
在所述第一电极与所述发射层之间的空穴注入层,所述空穴注入层包含具有不同极性的第一组分和第二组分的偶极材料,
其中所述发射层包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层,并且还包括在所述蓝色发射层下的辅助层,还包括布置在所述红色发射层之下的红色共振辅助层以及布置在所述绿色发射层之下的绿色共振辅助层,
其中所述蓝色发射层下的辅助层不与所述红色发射层和所述绿色发射层重叠,
其中所述蓝色发射层下的辅助层包含由以下化学式1表示的化合物:
其中A1、A2和A3各自为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或联苯基,并且a、b和c各自为0至4的正数,以及
其中A1、A2和A3中的至少一个为
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述第一组分为功函为4.0eV或大于4.0eV的金属或非金属;以及
所述第二组分包含卤素。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述第一组分包含Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In和Zn中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中所述第二组分包含F、Cl、Br和I中的一种或多种。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其中所述偶极材料包含NiI2、CoI2、CuI、AgI、SnI2和InI3中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述偶极材料的偶极矩为5德拜或大于5德拜。
7.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中:
所述第一组分包含碱金属、碱土金属、稀土元素和过渡金属中的一种或多种,以及
所述第二组分包含卤素。
8.如权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第一组分具有3.0eV或小于3.0eV的功函并包含Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb和其合金中的一种或多种。
9.如权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述空穴注入层还包含功函为4.3eV或大于4.3eV的金属。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述功函为4.3eV或大于4.3eV的金属包括Ag、Au、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Sn、Ta、Ti、V、W和Zn中的一种或多种。
11.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述空穴注入层还包含相对介电常数为10或大于10的氧化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





