[发明专利]基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管

权利要求书

1.基于InAsN-GaAsSb材料的交错型隧穿场效应晶体管的制作方法，包括如下步骤：

1)利用分子束外延工艺，在InAs衬底(1)上生长N组分为0.01～0.05的InAsN复合材料，形成源极层；

2)利用分子束外延工艺，在InAsN源极层上生长Sb组分为0.35～0.65的GaAsSb复合材料，形成沟道层；

3)利用分子束外延工艺，在GaAsSb沟道层上生长Sb组分为0.35～0.65的GaAsSb复合材料，形成漏极层；

4)利用刻蚀工艺，将源极层、沟道层、漏极层四周的部分刻蚀掉，在中间形成源区、沟道区、漏区的竖直分布结构；

5)对源区、沟道区和漏区进行能量为20KeV的离子注入，即在源区中注入剂量为10¹⁹cm^-3的Si元素，形成P⁺掺杂的源极(2)，在沟道区中注入剂量为10¹⁵cm^-3的Si元素，形成P^-掺杂的沟道(3)，在漏区中注入剂量为10¹⁹cm^-3的Te元素，形成N⁺掺杂漏极(4)；

6)利用原子层淀积工艺，在240～260℃环境下，在沟道(3)四周依次生成绝缘介质薄膜(5)和栅电极(6)。

2.如权利要求1所述的基于InAsN-GaAsSb材料的交错型隧穿场效应晶体管的制作方法：其中所述步骤1)的分子束外延工艺，是以固体In、As和N作为蒸发源，在10^-4pa的压强下外延生长InAsN层。

3.如权利要求1所述的基于InAsN-GaAsSb材料的交错型隧穿场效应晶体管的制作方法：其中所述步骤2)和3)的分子束外延工艺，是以固体Ga、As和Sb作为蒸发源，在10^-4pa的压强下外延生长GaAsSb层。

4.如权利要求1所述的基于InAsN-GaAsSb材料的交错型隧穿场效应晶体管的制作方法：其中所述步骤4)的刻蚀工艺，是利用氯基原子团，在光刻胶的掩蔽作用下，刻蚀InAsN、GaAsSb。

5.如权利要求1所述的基于InAsN-GaAsSb材料的交错型隧穿场效应晶体管的制作方法：其中所述步骤5)的离子注入工艺，是通过分别注入Te和Si元素形成n型和p型区域。