[发明专利]薄膜晶体管以及像素结构

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种薄膜晶体管以及像素结构，且特别是有关于一种显示面板的薄膜晶体管以及像素结构。

【背景技术】

随着现代信息科技的进步，各种不同规格的显示器已被广泛地应用在消费者电子产品的屏幕的中，例如手机、笔记型电脑、数字相机以及个人数字助理(PDAs)等。在该多个显示器中，由于液晶显示器(liquid crystal displays,LCD)及有机电激发光显示器(Organic Electroluminesence Display,OELD或称为OLED)具有轻薄以及消耗功率低的优点，因此在市场中成为主流商品。LCD与OLED的制程包括将半导体元件阵列排列于基板上，而半导体元件包含薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs)。

传统上来说，薄膜晶体管包括顶栅型薄膜晶体管(top-gate TFTs)以及底栅型薄膜晶体管(bottom-gate TFTs)。上述薄膜晶体管包含半导体层作为有源层或通道层，因此，若受到外部光源(例如是：背光源)的照射，则TFTs的半导体层很容易产生因照光而引致的漏电流(photo-induced current leakage)。其中，因照光而引致的漏电流不但会影响薄膜晶体管元件本身的效能，且会在画面显示时发生相互串扰(cross-talk)的问题，导致显示器的显示品质下降。

【发明内容】

本发明提供一种薄膜晶体管以及一种像素结构，其可以避免传统TFTs的半导体层很容易产生因照光而产生漏电流问题。

本发明的薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极以及漏极。栅极具有凹陷结构。栅绝缘层位于栅极上，并顺应性地覆盖凹陷结构。有源层位于栅绝缘层上，其中有源层位于栅极的凹陷结构内且未延伸至凹陷结构的外部。欧姆接触层位于有源层上，且暴露出部分的有源层。源极以及漏极，位于欧姆接触层的上方。

本发明另提供一种像素结构，包括数据线、扫描线、薄膜晶体管、保护层以及像素电极。薄膜晶体管如上所述。上述的薄膜晶体管电性连接数据线以及扫描线。保护层位于源极与漏极的上方，其特征在于，保护层具有开口，以暴露出漏极。像素电极位于保护层的上方，且像素电极经由开口与漏极电性连接。

基于上述，在本发明的薄膜晶体管中由于有源层位于栅极的凹陷结构内，且并未延伸至栅极的凹陷结构之外部，可阻挡外部光源(例如是：背光源)照射到有源层。因此，本发明的薄膜晶体管可避免因照光而引致的漏电流的产生。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

【附图说明】

图1A至图5A是本发明的一实施例的像素结构的制造流程的上视示意图。

图1B至图5B分别是对应图1A至图5A的剖面线I-I’的制造流程示意图。

图6是本发明的另一实施例的薄膜晶体管的剖面图。

图7是本发明的另一实施例的薄膜晶体管的剖面图。图8是本发明的另一实施例的薄膜晶体管的剖面图。

【符号说明】

100、200、300、400：薄膜晶体管

110、210、310、410：基板

120、220、320、420：栅极

125、225、325、425：凹陷结构

125B、225B、325B、425B：凹陷结构的底部

125W、225W、325W、425W：凹陷结构的侧壁

130、230、330、430：栅绝缘层

140、240、340、440：有源层

150、250、350、450：欧姆接触层

160：保护层

C：开口

CL：共用线

D_R：凹陷结构的厚度

D_A：有源层的厚度

D_I：栅绝缘层的厚度

D_G：栅极未设置有凹陷结构处的厚度

D_BM：位于凹陷结构的底部下方的栅极的厚度

D_O：欧姆接触层的厚度

D：漏极

DL：数据线

I-I’：剖线

PE：像素电极

S：源极

SL：扫描线

【实施方式】