[发明专利]薄膜晶体管以及像素结构有效
| 申请号： | 201510442172.9 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105070726B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡启南 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 像素 结构 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
一栅极，具有一凹陷结构；
一栅绝缘层，位于该栅极上，并顺应性地覆盖该凹陷结构；
一有源层，位于该栅绝缘层上，其中该有源层位于该栅极的该凹陷结构内且未延伸至该凹陷结构的外部，以阻挡一光线照射到该有源层；
一欧姆接触层，位于该有源层上，且暴露出部分的该有源层；
一源极以及一漏极，位于该欧姆接触层的上方。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极未设置有该凹陷结构处的厚度等于或是大于0.525微米，该凹陷结构的深度等于或是大于0.475微米，且等于或是小于0.675微米。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该欧姆接触层位于该栅极的该凹陷结构内且未延伸至该凹陷结构的外部。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该欧姆接触层位于该栅极的该凹陷结构内，且该欧姆接触层的上表面的高度与该栅极未设置有该凹陷结构处的上表面的高度一致。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该欧姆接触层位于该凹陷结构内且更延伸至该凹陷结构外。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该欧姆接触层的图案与该源极以及该漏极的图案不相同。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该欧姆接触层的图案与该源极以及该漏极的图案相同。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极的该凹陷结构具有一底部以及一侧壁，位于该凹陷结构的底部下方的该栅极的厚度等于或是大于0.050微米。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：
该栅绝缘层的厚度是等于或大于0.350微米且等于或小于0.450微米，
该有源层的厚度是等于或大于0.125微米且等于或小于0.165微米，以及
该欧姆接触层的厚度是等于或大于0.040微米且等于或小于0.060微米。
10.一种像素结构，包括：
一数据线以及一扫描线；
一薄膜晶体管，与该数据线以及该扫描线电性连接，其特征在于，该薄膜晶体管如权利要求1所述；
一保护层，位于该源极与该漏极的上方，其特征在于，该保护层具有一开口，以暴露出该漏极；
一像素电极，位于该保护层的上方，且该像素电极经由该开口与该漏极电性连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
