[发明专利]用于铜层和钛层的蚀刻溶液组合物以及使用其制造用于液晶显示器的阵列基板的方法

权利要求书

1.用于蚀刻铜层和钛层的蚀刻溶液组合物，其包括：过硫酸盐、氯化合物、铜盐、环胺化合物和电子供体化合物。

2.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述过硫酸盐是选自由过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾组成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述氯化合物是选自由氯酸、氯化钠、氯化钾、氯化铵组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述铜盐是选自由硝酸铜、硫酸铜和磷酸铜铵组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述环胺化合物包括选自由三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述电子供体化合物包括以下至少一种：

选自由谷氨酸、枞酸、间氨基苯磺酸、核黄素、叶酸、没食子酸、及其钾盐、钠盐和铵盐组成的组中的至少一种；和以及

选自由L-异亮氨酸、己二酸、棕榈酸、马来酸、二乙三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸、L-蛋氨酸、及其钾盐、钠盐和铵盐组成的组中的至少一种。

7.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其包括：0.5-20重量％的过硫酸盐、0.1-5重量％的氯化合物、0.05-3重量％的铜盐、0.5-5重量％的环胺化合物、0.1-5重量％的电子供体化合物，和其余为水。

8.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其还包括选自由氟化合物、无机酸(盐)和有机酸(盐)组成的组中的至少一种。

9.根据权利要求8的蚀刻溶液组合物，其中所述氟化合物包括选自由氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸铵、氟化钾、氟化氢钾、氟硼酸钾、氟化钠、氟化氢钠、氟化铝、氟硼酸、氟化锂和氟化钙组成的组中的至少一种。

10.根据权利要求8的蚀刻溶液组合物，其中所述无机酸(盐)包括选自由硝酸、硫酸、磷酸和硼酸组成的组中的至少一种以及其钾盐、钠盐和铵盐中的至少一种。

11.根据权利要求8的蚀刻溶液组合物，其中所述有机酸(盐)包括选自由乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、羟基乙酸、丙二酸、乙二酸、戊酸、苯磺酸、磺基琥珀酸、磺基苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、丁二酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸和亚氨基二乙酸组成的组中的至少一种以及其钾盐、钠盐和铵盐中的至少一种。

12.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述铜层是单一的铜层，或铜层包括选自由铝、镁、锰、铍、铪、铌、钨和钒组成的组中的至少一种以及铜的铜层。

13.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述钛层是单一的钛层。

14.根据权利要求1的蚀刻溶液组合物，其中所述铜层和钛层是多层，在其中所述铜层和钛层交替层压至少一次。

15.一种形成金属布线的图案的方法，包括：使用根据权利要求1－-14中的任一项的蚀刻溶液组合物蚀刻铜层和钛层。

16.一种制造用于液晶显示设备的阵列基板的方法，包括：

(a)在绝缘基板上形成栅的栅极金属层，其包括下部栅栅极的金属层和上部栅栅极的金属层；

(b)蚀刻所述栅栅极的金属层，以形成包括栅极电极的栅线；

(c)在所述栅线上形成栅极栅绝缘膜；

(d)在所述栅栅极绝缘膜上顺次形成第一无定形硅层、第二无定形硅层、下部数据金属层和上部数据金属层；

(e)蚀刻所述第一无定形硅层、第二无定形硅层、下部数据金属层和上部数据金属层，以形成包括半导体、电阻接触层和源极电极和以及漏极电极的数据线；

(f)在所述数据线、漏极电极和栅极栅绝缘膜上形成保护膜；和

(g)在所述保护膜上形成连接到漏极电极的像素电极，

其中使用权利要求1－14中的任一项所述的蚀刻溶液组合物实施步骤(b)的蚀刻和步骤(e)的蚀刻。

17.根据权利要求16的方法，其中，所述下部栅极栅金属层或下部数据金属层由钛层形成，所述上部栅金属层或上部数据金属层由铜膜形成。

18.根据权利要求17的方法，其中，上部金属层和下部金属层通过使用蚀刻溶液组合物同时立刻被蚀刻。