[发明专利]半导体装置以及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

开关元件，其具有主元件和感测元件；

主二极管，其具有与所述主元件的一个主电极连接的阴极、和与所述主元件的另一个主电极连接的阳极；

感测二极管，其具有与所述感测元件的一个主电极连接的阴极、和与所述感测元件的另一个主电极连接的阳极；以及

劣化检测电路，其在所述开关元件的断开期间对感测节点施加电压，并基于在所述感测二极管中流动的正向电流来检测所述开关元件或者所述主二极管的劣化，所述感测节点与所述感测元件的另一个主电极和所述感测二极管的阳极连接，

所述感测二极管被用于检测在所述主二极管中流动的电流。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述感测二极管被设置于设有所述开关元件的芯片。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，

所述劣化检测电路在所述开关元件的接通期间中止对所述感测节点施加电压。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述劣化检测电路按照使所述开关元件断开的驱动信号在所述断开期间对所述感测节点施加电压，在所述接通期间中止按照使所述开关元件接通的驱动信号对所述感测节点施加电压。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述正向电流比预定的电流值高的情况下，所述劣化检测电路判定为所述开关元件和所述主二极管中的至少一方已劣化。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述正向电流比预定的电流值低的情况下，所述劣化检测电路判定为所述开关元件和所述主二极管均未劣化。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具备：

电阻，其连接在所述感测节点与连接节点之间，所述连接节点与所述主元件的另一个电极和所述主二极管的阳极连接；

异常检测单元，其基于通过在所述电阻中流动电流而产生的电压来检测在所述主元件中流动的电流的异常；以及

切断单元，其在所述开关元件的断开期间将电流在所述电阻中的流动切断。

8.一种电力变换装置，其中，

在高侧和低侧具备权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，

所述电力变换装置具备控制装置，所述控制装置使用劣化信息来进行预定的控制，所述劣化信息是在从将在一侧的所述开关元件从接通切换为断开开始至将另一侧的所述开关元件从接通切换为断开为止的期间从所述一侧的所述劣化检测电路输出的劣化信息。

9.根据权利要求8所述的电力变换装置，其中，

所述控制装置使在从将所述另一侧的所述开关元件从接通切换为断开开始至将所述一侧的所述开关元件从断开切换为接通为止的空载时间从所述一侧的所述劣化检测电路输出的劣化信息无效。

10.一种电力变换装置，其中，

在高侧和低侧具备权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，

一侧的所述劣化检测电路输出在从将所述一侧的所述开关元件从接通切换为断开开始至将另一侧的所述开关元件从接通切换为断开为止的期间所检测出的与劣化相关的劣化信息。

11.根据权利要求10所述的电力变换装置，其中，

所述一侧的所述劣化检测电路中止在从将所述另一侧的所述开关元件从接通切换为断开开始至将所述一侧的所述开关元件从断开切换为接通为止的空载时间所检测出的与劣化相关的劣化信息的输出。

12.一种电力变换装置，其中，

在高侧和低侧具备权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，

一侧的所述劣化检测电路基于在所述一侧的所述开关元件的断开期间和另一侧的所述开关元件的接通期间重复的期间在所述一侧的所述感测二极管中流动的反方向电流来检测所述一侧的所述感测二极管的劣化。

13.一种电力变换装置，其中，

在高侧和低侧具备权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，

高侧以及低侧的所述劣化检测电路仅限于该半导体装置未驱动负载的期间，进行劣化检测。