[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板

说明书

一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板，在薄膜晶体管的有源层沟道区域形成相互独立的纳米导电点，使有源层沟道区域被分成多个相互独立的子沟道，从而增加了等效电场强度。等效电场强度越大，载流子迁移率越大。因此，形成的薄膜晶体管的开态电流就越大，有利于制造具有更高解析度和更高开口率的薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管，还涉及一种具有该薄膜晶体管的阵列基板以及用于制造该薄膜晶体管的方法。

背景技术

薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是晶体管的种类之一，被广泛应用于显示领域。现有技术中的薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极。

显示面板一般包括阵列基板。阵列基板上形成有多个像素，且每一个像素对应一个薄膜晶体管，从而通过薄膜晶体管控制相应像素进行显示。随着显示行业的发展，对薄膜晶体管特性的要求也日益提高，需要薄膜晶体管具有较大的开态电流。薄膜晶体管开态电流I_ds的计算式为其中u表示有源层的载流子迁移率，C_OX表示单位面积的绝缘层电容，W表示薄膜晶体管的沟道宽度，L表示薄膜晶体管的沟道长度，V_gs表示栅极相对于源极的电压，V_th表示阈值电压。根据开态电流的计算式可知，u、W和L都是影响薄膜晶体管开态电流的主要因素。在薄膜晶体管中，L值过小容易导致源漏极金属发生短路，W过大会导致开口率降低以及源漏极与栅极的直接耦合电容增加。增加u是提高薄膜晶体管开态电流的最为有效的方法之一。因此，亟需一种具有较高的载流子迁移率的薄膜晶体管。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：现有技术中不存在具有较高的载流子迁移率的薄膜晶体管。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。

根据本发明的第一个方面，提供了一种薄膜晶体管，其包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层，所述有源层包括相互独立的纳米导电点。

优选的是，所述纳米导电点的直径为

优选的是，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管或者顶栅型薄膜晶体管。

根据本发明的第二个方面，提供了一种具有上述薄膜晶体管的阵列基板。

根据本发明的第三个方面，提供了一种用于制造薄膜晶体管的方法，其包括：

形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点。

优选的是，形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点，包括：

形成栅极；

在所述栅极上形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述有源层；

在所述有源层上形成具有所述源极和所述漏极的图形，所述图形由金属合金形成；

采用脱合金化方法在所述图形对应所述有源层的区域形成纳米点掩膜；

利用所述纳米点掩膜，在所述有源层上形成所述相互独立的纳米导电点。

优选的是，采用离子注入的方法，利用所述纳米点掩膜，在所述有源层上形成所述相互独立的纳米导电点。

优选的是，形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点，包括：

形成所述有源层；

在所述有源层上形成具有所述源极和所述漏极的图形，所述图形由金属合金形成；