[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201510394548.3 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104992985B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 卢马才 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 沟道区域 阵列基板 源层 制造 载流子迁移率 高解析度 开态电流 导电点 开口率 沟道 | ||
1.一种用于制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：
形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点，还使所述纳米导电点的直径为
其中，形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点，包括：
形成栅极；
在所述栅极上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成所述有源层；
在所述有源层上形成具有所述源极和所述漏极的图形，所述图形由金属合金形成；
采用脱合金化方法在所述图形对应所述有源层的区域形成纳米点掩膜；
利用所述纳米点掩膜，在所述有源层上形成所述相互独立的纳米导电点。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用离子注入的方法，利用所述纳米点掩膜，在所述有源层上形成所述相互独立的纳米导电点。
3.一种用于制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：
形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点，还使所述纳米导电点的直径为
其中，形成包括栅极、绝缘层、源极、漏极和有源层在内的多层结构，并使所述有源层包括相互独立的纳米导电点，包括：
形成所述有源层；
在所述有源层上形成具有所述源极和所述漏极的图形，所述图形由金属合金形成；
采用脱合金化方法在所述图形对应所述有源层的区域形成纳米点掩膜；
利用所述纳米点掩膜，在所述有源层上形成所述相互独立的纳米导电点；
去除所述纳米点掩膜；
在具有所述纳米导电点的有源层及所述图形上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成所述栅极。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用离子注入的方法，利用所述纳米点掩膜，在所述有源层上形成所述相互独立的纳米导电点。
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