[发明专利]感放射线性树脂组合物、绝缘膜及显示元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种感放射线性树脂组合物、绝缘膜及显示元件。

背景技术

近年来，与以前的阴极射线管(CathodeRayTube，CRT)方式的显示装置相比，由于谋求薄型化或轻量化等的优点等，而使用液晶的显示元件、即液晶显示元件的开发正在积极地进行。

液晶显示元件具有在一对基板间夹持液晶的结构。在所述基板的表面，为了控制液晶的取向，可以设置取向膜。另外，所述一对基板例如由一对偏光板夹持。并且，若在基板间施加电场，则在液晶中引起取向变化，而将光部分地透射、或遮蔽。在液晶显示元件中，利用如此的特性显示图像，可以提供薄型且轻量的显示元件。

液晶显示元件通过对每像素设置用以切换的主动元件的主动矩阵(activematrix)方式的开发，而可以实现对比度比或响应性能优异的良好的画质。而且，液晶显示元件也克服了高精细化、彩色化及视角扩大等的问题，最近，已用作智能手机(smartphone)等便携电子设备的显示元件、或大型且薄型的电视用显示元件。

在液晶显示元件中，已知有液晶的初始取向状态或取向变化动作不同的各种液晶模式。例如已知：扭转向列(TwistedNematic，TN)、超扭转向列(SuperTwistedNematic，STN)、共面切换(In-PlanesSwitching，IPS)、边缘场切换(FringeFieldSwitching，FFS)、垂直取向(VerticalAlignment，VA)或光学补偿弯曲(OpticallyCompensatedBirefringence，OCB)等液晶模式。

在所述液晶模式中，IPS模式及作为所述IPS模式的一例的FFS模式，由于具有宽的视角、快的响应速度及高的对比度比，因此是近年来特别受到关注的液晶模式。另外，在本发明中所谓IPS模式，表示液晶在夹持其的基板的面内进行切换(取向变化)动作的液晶模式。因此，只要不特别加以区别，是除了所谓的被称为横向电场方式的狭义的IPS模式外，也包括使用斜向电场(边缘电场)使液晶在基板的面内进行切换的FFS模式的概念。

在包括FFS模式的IPS模式(以下有时简称为“IPS模式”)的液晶显示元件中，以在一对基板间所夹持的液晶相对于基板而大致平行的方式，控制液晶的初始取向状态。通过在配置于所述基板中的一个基板的像素电极与共通电极之间施加电压，而形成以与基板平面平行的成分为主的电场(所谓的横向电场或斜向电场(边缘电场))，而具备介电各向异性的液晶的取向状态发生变化。因此，在IPS模式中，由电压施加引起的液晶的取向变化如其名称那样，在与基板平面平行的面内，液晶分子的旋转动作为主。

根据如上所述，IPS模式与TN模式等的平行取向的液晶通过电压施加而进行立起动作的液晶模式不同，液晶相对于夹持液晶的基板的倾角的变化小。因此，在IPS模式的液晶显示元件中，伴随着电压施加的延迟(retardation)的有效值的变化变小，可以实现视角宽且高画质的图像的显示。

在如上所述的IPS模式的液晶显示元件中，正在进行如下的电极结构的开发：在透明的整块状电极(例如共通电极)上积层包含无机材料的无机绝缘膜，在所述无机绝缘膜上重叠梳齿状电极(例如像素电极)(例如参照专利文献1或专利文献2)。根据所述结构，像素的开孔率提高，并且实现高亮度的图像显示。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2011-48394号公报

[专利文献2]日本专利特开2011-59314号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

关于IPS模式的液晶显示元件，近年来为了应对电视、或智能手机等便携电子设备的显示元件的高解析化及高画质化，而要求进一步的高画质化、特别是高精细化。

在IPS模式的液晶显示元件中，在夹持液晶的一对基板中的一个基板上，配置用以薄膜电晶体(TFT：ThinFilmTransister)等的切换的主动元件。并且，也配置像素电极、共通电极、与所述电极连接的配线等，而构成阵列基板。因此，在IPS模式的液晶显示元件中，配置在阵列基板上的构成构件变多，在阵列基板上的电极结构或配线的配置结构比TN模式等其他液晶模式复杂。根据如上所述，若欲进行进一步的高精细化，则有如下的担忧：像素内的像素电极的面积减少，像素的开孔率降低而使显示的亮度降低。