[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

发光结构体，其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；

多个孔，其贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层，并且所述第一导电型半导体层部分地露出；及，

第一电极层和第二电极层，分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接并相互绝缘，

所述第二电极层包括：

多个单元电极层，其相互隔开，并包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，

至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层，

所述第一电极层通过所述多个孔而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，并部分地覆盖所述发光结构体。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

所述单元电极层位于所述第二导电型半导体层上，与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

所述开口部位于所述单元电极层的中心部。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

所述多个单元电极层分别具有相同的面积。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：

所述多个单元电极层按照格型配置在所述发光结构体上。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括：

一个所述连接层，其电连接至少三个以上所述单元电极层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括：

多个所述连接层，其连接所述单元电极层中邻接的单元电极层。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

下部绝缘层，其覆盖所述多个单元电极层及所述发光结构体；

其中，所述下部绝缘层包括对应于所述多个孔形成的第一开口部以及使各个所述单元电极层部分地露出的第二开口部。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：

所述单元电极层包括透明导电氧化物层，所述下部绝缘层包括分布式布拉格反射器。

10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：

所述第一电极层通过所述第一开口部，与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，所述第一电极层部分地覆盖所述下部绝缘层。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：

所述第二电极层还包括接触层，其填充所述第二开口部并连接于所述单元电极层，所述连接层电连接位于邻接的单元电极层上的接触层。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：

所述连接层位于所述下部绝缘层上。

13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

上部绝缘层，其覆盖所述第一电极层及所述第二电极层；

其中，所述上部绝缘层包括使所述第一电极层部分地露出的第三开口部以及至少使一部分所述接触层部分地露出的第四开口部。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：

所述上部绝缘层包括分布式布拉格反射器。

15.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

第一焊垫，其通过所述第三开口部与所述第一电极层连接，并位于所述上部绝缘层上；及，

第二焊垫，其与所述第一焊垫隔开，通过所述第四开口部与所述接触层连接，并位于所述上部绝缘层上。

16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

散热片，其位于所述上部绝缘层上。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于：

所述散热片位于所述第一焊垫及所述第二焊垫之间，并与所述第一焊垫及所述第二焊垫电绝缘。

18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

第一焊垫及第二焊垫，其分别与所述第一电极层及所述第二电极层电连接，并位于所述发光结构体上。