[发明专利]ESL型TFT基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，得到栅极(2)；

步骤2、在所述栅极(2)及基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层(4)；

步骤3、在所述氧化物半导体层(4)上沉积蚀刻阻挡层(5)，并采用灰阶光罩对所述蚀刻阻挡层(5)进行图案化处理，将对应于所述氧化物半导体层(4)一侧上方的蚀刻阻挡层(5)完全蚀刻掉，暴露出所述氧化物半导体层(4)的一侧区域，形成通透的第一过孔(51)，将对应于所述氧化物半导体层(4)另一侧上方的蚀刻阻挡层(5)部分蚀刻掉，不暴露出所述氧化物半导体层(4)的另一侧区域，形成盲孔形式的第二过孔(52)；

所述第一、第二过孔(51、52)之间的间隔距离(L4)定义出沟道长度；

步骤4、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到漏极(6)；所述漏极(6)经由所述第一过孔(51)与所述氧化物半导体层(4)相接触；

步骤5、在所述漏极(6)与蚀刻阻挡层(5)上沉积钝化保护层(7)，并对钝化保护层(7)进行图案化处理，形成与所述盲孔形式的第二过孔(52)贯通的通孔(72)，同时将所述盲孔形式的第二过孔(52)完全挖开，形成通透的第二过孔(52)，保持沟道长度不变；

步骤6、在所述钝化保护层(7)上沉积并图案化电极层(8)，所述电极层(8)的一侧相对靠近所述漏极(6)并经由所述通孔(72)与第二过孔(52)接触氧化物半导体层(4)，构成源极(81)；所述电极层(8)的另一侧沿相对远离所述漏极(6)的方向延伸，构成像素电极(82)。

2.如权利要求1所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3具体包括以下步骤：

步骤31、在所述蚀刻阻挡层(5)上涂布光阻层(30)，采用灰阶光罩对所述光阻层(30)进行曝光、显影，分别得到对应位于所述氧化物半导体层(4)一侧上方的全曝光区域(301)，及对应位于所述氧化物半导体层(4)另一侧上方的半曝光区域(302)；

步骤32、以所述光阻层(30)为遮蔽层，对所述蚀刻阻挡层(5)进行蚀刻，将对应位于所述全曝光区域(301)下方的蚀刻阻挡层(5)完全蚀刻掉，得到通透的第一过孔(51)，将对应位于所述半曝光区域(302)下方的蚀刻阻挡层(5)部分蚀刻掉，形成盲孔形式的第二过孔(52)；

步骤33、剥离所述光阻层(30)。

3.如权利要求2所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤32中，所述蚀刻采用干法蚀刻工艺。

4.如权利要求1所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源极(81)与所述漏极(6)在所述栅极(2)上方的空间内无交叠。

5.如权利要求1所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源极(81)与所述漏极(6)在所述栅极(2)上方的空间内有交叠。