[发明专利]基板加工方法和制造液体排出头用基板的方法

权利要求书

1.一种基板加工方法，其包括：

在硅基板的第一表面形成第一孔，使得所述第一孔具有未贯通所述硅基板的深度；以及

以使第二孔与所述第一孔连通的方式通过执行干蚀刻在第二表面形成所述第二孔，所述第二表面在所述第一表面的相反侧，如此在所述硅基板中形成由所述第一孔和所述第二孔形成的通孔，

其中，在形成所述通孔之前，向所述第二孔中引入涂布气体，

其特征在于，

所述通孔具有如下形状：当在平面中观察所述第二表面时，所述第一孔的开口端的至少一部分存在于所述第二孔内，并且

所述第二孔的形成包括在通过所述干蚀刻使所述第二孔与所述第一孔连通之后在所述第一孔和所述第二孔之间形成连通部，所述连通部比所述第一孔的开口宽。

2.根据权利要求1所述的基板加工方法，其中，

在形成所述第二孔期间，通过在使所述第二孔与所述第一孔连通时改变初始蚀刻条件，在所述第一孔和所述第二孔之间形成比所述第一孔的开口宽的所述连通部。

3.根据权利要求1所述的基板加工方法，其中，

在形成所述第二孔期间，使用如下方法：在该方法中，交替重复形成孔的蚀刻步骤和形成保护膜的涂布步骤，所述保护膜形成于通过所述蚀刻步骤所形成的孔的侧壁，

通过在使所述第二孔与所述第一孔连通之后，继续执行所述涂布步骤和所述蚀刻步骤来在所述第一孔和所述第二孔之间形成比所述第一孔的开口宽的所述连通部，并且

将在使所述第二孔与所述第一孔连通之后所执行的所述蚀刻步骤的蚀刻条件从不能够去除保护膜的条件改变为能够去除所述保护膜的条件，所述保护膜为通过所述涂布步骤形成于所述第一孔的侧壁的保护膜。

4.根据权利要求3所述的基板加工方法，其中，

在使所述第二孔与所述第一孔连通之后执行的所述蚀刻步骤的蚀刻条件包括：比初始蚀刻条件下的蚀刻时间长10％的蚀刻时间，在该长10％的蚀刻时间期间施加被设定在50W至200W的范围内的平板功率。

5.根据权利要求1所述的基板加工方法，其中，

在形成所述第二孔期间，使用如下方法：在该方法中，同时执行用于形成孔的蚀刻操作和保护膜的形成，所述保护膜形成于通过所述蚀刻操作所形成的孔的侧壁，并且

当使所述第二孔与所述第一孔连通时，将蚀刻条件从初始蚀刻条件改变为如下条件：在该条件下，增强朝向所述第二孔的侧壁的方向上的蚀刻度。

6.根据权利要求5所述的基板加工方法，其中，

已经被改变的所述蚀刻条件包括5Pa或更小的气压。

7.一种制造液体排出头用基板的方法，其包括在硅基板中形成用作通孔的液体供给口，所述方法包括：

在所述硅基板的第一表面形成第一孔，使得所述第一孔具有未贯通所述硅基板的深度；以及

以使第二孔与所述第一孔连通的方式通过执行干蚀刻在第二表面形成所述第二孔，所述第二表面在所述第一表面的相反侧，从而在所述硅基板中形成由所述第一孔和所述第二孔形成的通孔，

其中，在形成所述通孔之前，向所述第二孔中引入涂布气体，

其特征在于，

所述通孔具有如下形状：当在平面中观察所述第二表面时，所述第一孔的开口端的至少一部分存在于所述第二孔内，并且

所述第二孔的形成包括在通过所述干蚀刻使所述第二孔与所述第一孔连通之后在所述第一孔和所述第二孔之间形成连通部，所述连通部比所述第一孔的开口宽。

8.根据权利要求7所述的制造液体排出头用基板的方法，其中，

在形成所述第二孔期间，通过在使所述第二孔与所述第一孔连通时改变初始蚀刻条件，在所述第一孔和所述第二孔之间形成比所述第一孔的开口宽的所述连通部。